Bulletin of Belgorod State Technological University named after. V. G. Shukhov

Вестник Белгородского государственного технологического университета им. В.Г. Шухова

2071-7318

14700

10.12737/23648

Химическая технология

Chemical technology

Химическая технология

HIGH QUALITY GAN AND ALGAN LAYERS GROWN BY AMMONIA MBE WITH US GA AS SURFACTANT

ИСПОЛЬЗОВАНИИ GA В КАЧЕСТВЕ СУРФАКТАНТА ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА СЛОЕВ ALN И ALGAN, ВЫРАЩЕННЫХ АММИАЧНОЙ МЛЭ

Зайцев

Сергей Викторович

Zaytsev

Sergey Викторович

Новиков

Сергей Андреевич

Novikov

Sergey Андреевич

Петров

Станислав Игоревич

Petrov

Stanislav Игоревич

Мамаев

Виктор Викторович

Mamaev

Viktor Викторович

Прохоренков

Дмитрий Станиславович

Prokhorenkov

Dmitriy Станиславович

21 12 2016

2 1 126 129

https://zh-szf.ru/en/nauka/article/14700/view

Представлены результаты выращивания слоев AlN методом высокотемпературной аммиачной МЛЭ с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами влияющими на кинетику роста и дефектообразование являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al при температуре подложки 1150 °C не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностную подвижность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта была достигнута подвижность носителей до 2000 см2/В•с.

In this work we present the results of AlN buffer layer ammonia MBE growth for HEMT using Ga as surfactant. Key parameters that affect the growth kinetics and defects formation are efficient fluxes of precursors and surfactant as well as the substrate temperature which limits surfactant flux because of desorption Ga from the surface. In particular, addition of Ga flux equal to Al flux at substrate temperature 1150 °C keeps the growth rate constant. This approach allows to increase surface mobility of adatoms, provides quick transition to 2D–growth mode, that results in mobility increasing in GaN bulk layer as well as in heterostructures with 2DEG. In GaN/AlGaN heterostructures mobility up to 2000 cm2/Vs was achieved.

гетероструктуры AlN/AlGaN оптоэлектронные приборы свч транзисторы плотность дислокаций.

heterostructures AlN/AlGaN uv optoelectronic devices microwave transistors dislocation dencit

Ambacher O. Growth and applications of group III-nitrides //Journal of Physics D: Applied Physics. 1998. Т. 31. №. 20. С. 2653.

Ambacher O. Growth and applications of group III-nitrides //Journal of Physics D: Applied Physics. 1998. T. 31. №. 20. S. 2653.

Webb J.B., Tang H., Bardwell J.A., Moisa S., Peters C., MacElwee T. Defect reduction in GaN epilayers and HFET structures grown on (0001) sapphire by ammonia MBE //Journal of crystal growth. 2001. Т. 230. №. 3. С. 584-589.

Nakamura S., Mukai T., Senoh M. Insitu monitoring and Hall measurements of GaN grown with GaN buffer layers //Journal of applied physics. 1992. Т. 71. №. 11. С. 5543-5549.

Nakamura S., Mukai T., Senoh M. Insitu monitoring and Hall measurements of GaN grown with GaN buffer layers //Journal of applied physics. 1992. T. 71. №. 11. S. 5543-5549.

Akasaki I., Amano H. Crystal growth of column-III nitride semiconductors and their electrical and optical properties //Journal of crystal growth. 1996. Т. 163. №. 1. С. 86-92.

Akasaki I., Amano H. Crystal growth of column-III nitride semiconductors and their electrical and optical properties //Journal of crystal growth. 1996. T. 163. №. 1. S. 86-92.

Hoke W.E., Kennedy T.D., Torabi A., Lyman P.S., Howsare C.A., Schultz B.D.. Highly uniform AlGaN/GaN HEMT films grown on 200-mm silicon substrates by plasma molecular beam epitaxy //Journal of Vacuum Science & Technology B. 2014. Т. 32. №. 3. С. 030605.

Petrov S.I., Alexeev A.N., Krasovitsky D.M., Chaly V.P. Growth of high quality IIIN heterostructures using specialized MBE system //physica status solidi (c). 2012. Т. 9. №. 3-4. С. 562-563.

Petrov S.I., Alexeev A.N., Krasovitsky D.M., Chaly V.P. Growth of high quality IIIN heterostructures using specialized MBE system //physica status solidi (c). 2012. T. 9. №. 3-4. S. 562-563.

Ng H.M., Doppalapudi D., Moustakas T.D., Weimann N.G., Eastman L.F. The role of dislocation scattering in n-type GaN films //Applied physics letters. 1998. Т. 73. №. 6. С. 821.

Ng H.M., Doppalapudi D., Moustakas T.D., Weimann N.G., Eastman L.F. The role of dislocation scattering in n-type GaN films //Applied physics letters. 1998. T. 73. №. 6. S. 821.

Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi D., Ng H.M., Moustakas T.D. Scattering of electrons at threading dislocations in GaN //Journal of Applied Physics. 1998. Т. 83. №. 7. С. 3656-3659.

Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi D., Ng H.M., Moustakas T.D. Scattering of electrons at threading dislocations in GaN //Journal of Applied Physics. 1998. T. 83. №. 7. S. 3656-3659.

Jmerik V.N., Mizerov A.M., Nechaev D.V., Aseev P.A., Sitnikova, A. A., Troshkov S.I., Ivanov S.V. Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring //Journal of Crystal Growth. 2012. Т. 354. №. 1. С. 188-192.

10.

Li J., Lin J.Y., Jiang H.X. Surfactant effects of gallium on quality of AlN epilayers grown via metal-organic chemical-vapour deposition on SiC substrates //Journal of Physics D: Applied Physics. 2012. Т. 45. №. 28. С. 285103.