<?xml version="1.0"?>
<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">14714</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/23662</article-id>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">RESULTS OF TESTS OF PRODUCTS TO INFLUENCE OF HEAVY CHARGED PARTICLES</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Результаты испытаний изделий к воздействию ТЗЧ</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Скляр</surname>
       <given-names>В. А.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Sklyar</surname>
       <given-names>V. А.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Зольников</surname>
       <given-names>Владимир Константинович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Zolnikov</surname>
       <given-names>Vladimir Константинович</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <email>wkz@rambler.ru</email>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО &quot;Научно-исследовательский институт электронной техники&quot;</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО &quot;Научно-исследовательский институт электронной техники&quot;</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2016-12-21T00:00:00+03:00">
    <day>21</day>
    <month>12</month>
    <year>2016</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2016-12-21T00:00:00+03:00">
    <day>21</day>
    <month>12</month>
    <year>2016</year>
   </pub-date>
   <volume>9</volume>
   <issue>2</issue>
   <fpage>66</fpage>
   <lpage>70</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://zh-szf.ru/en/nauka/article/14714/view">https://zh-szf.ru/en/nauka/article/14714/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>В статье рассматривается оценка стойкости микросхем к воздействию тяжелых заряженных частиц, описаны условия проведения испытаний, материально-техническое обеспечение испытаний.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>In article assessment of resistance of chips to influence of heavy charged particles is considered, the test environment, material support of tests are described.</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>Автоматизация проектирования</kwd>
    <kwd>микросхемы</kwd>
    <kwd>стойкость</kwd>
    <kwd>тяжелые заряженные частицы.</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>design automation</kwd>
    <kwd>chips</kwd>
    <kwd>firmness</kwd>
    <kwd>heavy charged particles.</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p>Оценка соответствия микросхем требованиям по стойкости к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) проводилась в соответствии с программой методикой испытаний и по алгоритмам, представленным в [1, 2].Задачами испытаний являются:-     получение экспериментальных данных для оценки соответствия порогового значения ЛПЭ для необратимых отказов в микросхемах заданным требованиям;-     определение зависимости уровней сбоеустойчивости изделий от ЛПЭ ионов. Параметрами-критериями работоспособности и сбоеустойчивости являются параметры, указанные в табл. 1.</p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, В. К. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии [Текст] / В. К. Зольников, В. П.Крюков, В. Н. Ачкасов, В. А.Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8. № 3. - С. 24-26.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol&amp;#180;nikov, V. K. Vybor znacheniy parametrov, opredelyayushchikh kinetiku nakopleniya zaryada v dielektrike pri radiatsionnom vozdeystvii [Tekst] / V. K. Zol&amp;#180;nikov, V. P.Kryukov, V. N. Achkasov, V. A.Sklyar. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T. 8. № 3. - S. 24-26.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, К. В. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8. № 3. - С. 33-35.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol&amp;#180;nikov, K. V. Raschet izmeneniya skhemotekhnicheskikh parametrov pri vozdeystvii nizkointensivnogo izlucheniya faktorov kosmicheskogo prostranstva [Tekst] / K. V. Zol&amp;#180;nikov, V. A. Sklyar, V. P. Kryukov, A. S. Groshev, K. A. Chubur. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T. 8. № 3. - S. 33-35.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
