К разрабатываемым изделиям электронной компонентной базы предъявляются требования длительного функционирования в космическом пространстве в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов в условиях длительного воздействия статического ионизационного излучения малой мощности [1, 2]. При проведении испытаний на стойкость изделий электронной компонентной базы к излучению разной интенсивности был обнаружен эффект уменьшения стойкости испытуемых изделий при уменьшении мощности воздействующего излучения. При мощности излучения 100 р/с изделие можно было аттестовать на стойкость 105. Так максимальная деградация параметров полупроводниковых приборов наблюдалась при мощности излучения 1 р/с. При этом значение стойкости составляло 104. При дальнейшем уменьшении мощности излучения, стойкость несколько повышается (рис. 1). На рис. 2 представлена структура алгоритма расчета стойкости КМОП СБИС при воздействии факторов космического пространства.