Процесс создания современной микроэлектроники достаточно сложен и трудоёмок. Развитие микроэлектроники в последние 30 лет характеризуется следующими основными тенденциями. Число транзисторов на кристалле интегральной схемы (ИС) увеличивается в 4 раза каждые три года. Диаметр пластин удваивается каждые 15 лет. Площадь кристалла ИС увеличивается в 2,3 раза каждые 6 лет. Стоимость производства удваивается каждые три года. Проектные нормы уменьшаются в 2 раза за каждые 6 лет. Внедряются  новые методы проектирования с использованием сложно функциональных блоков (СФ - блоков) [1-7].Проектные нормы современных полупроводниковых технологий уменьшаются постоянно. Ещё в 1965 году один из основателей корпорации Intel Гордон Мур заметил, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые 24 месяца. В 70-х годах проектные нормы составляли 2-8 мкм, в 80-х была улучшена до 0,5-2 мкм. Новые процессоры  делают по новой технологии соизмеримой с десятком нанометоров. Уже в настоящее время есть микросхемы, превысившие данный технологический уровень (в частности видеопроцессоры и flash-память фирмы Samsung - 0,009 мкм). Внедрение новых  методов проектирования с использованием СФ – блоков привело к появлению нового специализированного класса интегральных схем (ИС) “система на кристалле ” (СнК), где на одном кристалле реализовано несколько СФ-блоков, например, процессор цифровой обработки сигналов, память различных типов, интерфейсы, контроллер USB, Ethernet, UART, таймер и т д.