Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 22500 10.12737/article_5b574c80ed0651.31883460 Технические науки Технические науки BASED ON MATHEMATICAL FORMALIZATION OF PROCEDURES FOR THE DESIGN OF MOSFETS Математические зависимости формализации процедур проектирования МОП-транзисторов Лавлинский Валерий Викторович Lavlinskiy V. Viktorovich Савченко Андрей Леонидович Savchenko Andrey Леонидович Кулай А. Ю. Kulay A. Ю. Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov АО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва) Россия АО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва) Russian Federation АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Россия АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Russian Federation 11 1 31 38 https://zh-szf.ru/en/nauka/article/22500/view

В статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования МОП – транзисторов. Представленные математические зависимости используются для оценки электрических параметров электронной компонентой базы. Кроме того, данные модели подтверждают возможность 3D моделирования структур в виде отдельных элементов электронной компонентной базы.

В статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования МОП – транзисторов. Представленные математические зависимости используются для оценки электрических параметров электронной компонентой базы. Кроме того, данные модели подтверждают возможность 3D моделирования структур в виде отдельных элементов электронной компонентной базы.

 Формализация процедур проектирования САПР МОП – транзисторы математические зависимости EKV модель

Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП - транзисторов, учитывающая радиационные эффекты / К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, А.С. Адонин - Режим доступа: http://miem.hse.ru/data /2013/01/23/1306490252/ 8_Петросянц_EKV_rad.pdf. - Загл. с экрана. Makromodel' EKV-RAD dlya KNI/KNS MOP - tranzistorov, uchityvayuschaya radiacionnye effekty / K.O. Petrosyanc, I.A. Haritonov, L.M. Samburskiy, A.S. Adonin - Rezhim dostupa: http://miem.hse.ru/data /2013/01/23/1306490252/ 8_Petrosyanc_EKV_rad.pdf. - Zagl. s ekrana. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko // В сборнике: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - 2013. - С. 667. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko // V sbornike: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - 2013. - S. 667. Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz // John Wiley & Sons, Ltd. - P. 328. Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz // John Wiley & Sons, Ltd. - P. 328. The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation. - Режим доступа: http://files.lib.sfu-kras.ru/ebibl/umkd/48/Accesories/Orcad%209%20DEMO/Document/ekv26.pdf. - Загл. с экрана. The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation. - Rezhim dostupa: http://files.lib.sfu-kras.ru/ebibl/umkd/48/Accesories/Orcad%209%20DEMO/Document/ekv26.pdf. - Zagl. s ekrana. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 16-20. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizacii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual'noy real'nosti / V. V. Lavlinskiy // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 3. - S. 16-20. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76. Obzor programm dlya SAPR submikronnyh SBIS / V. A. Sklyar, K. V. Zol'nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Anciferova // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 2. - S. 72-76. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 24-32. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemyh ob'ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual'noy real'nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chasticami / V. V. Lavlinskiy // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32. Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 33-35. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemyh ob'ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual'noy real'nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chasticami / V. V. Lavlinskiy // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 20-25. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemyh ob'ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual'noy real'nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chasticami / V. V. Lavlinskiy // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 3. - S. 20-25. Лавлинский, В. В. Алгоритм формализации МОП-транзистора для объектно-ориентированного языка программирования / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т. 9, № 2. - С. 5-14. Lavlinskiy, V. V. Algoritm formalizacii MOP-tranzistora dlya ob'ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya / V. V. Lavlinskiy, A. H. H. Zhvad // Modelirovanie sistem i processov. - 2016. - T. 9, № 2. - S. 5-14. Лавлинский, В. В. Основы формирования 3D моделей для проектирования современных МОП-транзисторов с использованием синтеза виртуальной реальности / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад, А. Л. Савченко // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8, № 3. - С. 59-64. Lavlinskiy, V. V. Osnovy formirovaniya 3D modeley dlya proektirovaniya sovremennyh MOP-tranzistorov s ispol'zovaniem sinteza virtual'noy real'nosti / V. V. Lavlinskiy, A. H. H. Zhvad, A. L. Savchenko // Modelirovanie sistem i processov. - 2015. - T. 8, № 3. - S. 59-64. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т.4, №4 (16). - С. 280-291. Modelirovanie ionizacionnyh effektov i effektov smescheniya v cifrovyh mikroshemah dlya SAPR / V. K. Zol'nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Anciferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov // Lesotehnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4, №4 (16). - S. 280-291.