Actual directions of scientific researches of the XXI century: theory and practice Actual directions of scientific researches of the XXI century: theory and practice Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика 2308-8877 2846 10.12737/4737 Секция: Компьютерные технологии в процессах математического моделирования динамических систем Section: Computer technology in the process of mathematical modeling of dynamic systems Секция: Компьютерные технологии в процессах математического моделирования динамических систем Strategy of forecasting warm-up latchup window effects Методика прогнозирования температурного «окна» радиационной защёлки Панюшкин Н. Н. Panyushkin N. N. Матвеев Николай Николаевич Matveev Nikolay Николаевич vglta@vglta.vrn.ru Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова Россия Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Russian Federation 09 10 2014 09 10 2014 2 4 191 194 https://zh-szf.ru/en/nauka/article/2846/view

Рассмотрена методика прогнозирования температурного «окна» радиационной защелки в интегральных схемах. Представлена разработанная эквивалентная электрическая схема. Приведены результаты численного и физического экспериментов.

Considered strategy of forecasting warm-up latchup window effects in integrated circuits. Presented designed equivalent circuitry. Brought result numerical and physical experiments.

 интегральные схемы эквивалентная схема ионизирующее излучение радиационная защелка integral circuits equivalent scheme ionizing radiation latchup

Разработана теоретико-экспериментальная методика прогнозирования температурного «окна» радиационной защелки. Методика характеризуется ограниченным набором входных параметров, что позволяет избежать трудоемкого анализа топологии интегральных схем (ИС), не застрахованного от ошибок. Предлагаемая эквивалентная электрическая схема четырехслойной паразитной структуры на основе двухтранзисторной аналогии показана на рис.1

Зебрев, Г.И. Схемотехническое моделирование радиационно-индуцированной защелки в КМОП-микросхемах при воздействии одиночных тяжелых ионов или импульсного излучения/ Г.И. Зебрев, М.Ю. Федоренко, Р.Г. Усейнов //Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2009. Вып. 2. С.10-14. Zebrev, G.I. Skhemotekhnicheskoe modelirovanie radiatsionno-indutsirovannoy zashchelki v KMOP-mikroskhemakh pri vozdeystvii odinochnykh tyazhelykh ionov ili impul´snogo izlucheniya/ G.I. Zebrev, M.Yu. Fedorenko, R.G. Useynov //Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Ser.: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. 2009. Vyp. 2. S.10-14. Панюшкин, А.Н. Математическое моделирование радиационного защелкивания в КМДП интегральных схемах / А.Н. Панюшкин, Н.Н. Панюшкин // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Технические науки.- 2007. - №4. - С. 25-26. Panyushkin, A.N. Matematicheskoe modelirovanie radiatsionnogo zashchelkivaniya v KMDP integral´nykh skhemakh / A.N. Panyushkin, N.N. Panyushkin. Izvestiya vuzov. Severo-Kavkazskiy region. Tekhnicheskie nauki.- 2007. - №4. - S. 25-26.