Modeling of systems and processes

Моделирование систем и процессов

2219-0767

30317

10.12737/article_5d639c80e25143.41546387

Технические науки

REVIEW OF SUBMICRON VLSI CAD SOFTWARE AND ACCOUNTING FOR ELECTROPHYSICAL EFFECTS OF DEEP SUBMICRON LEVEL

Обзор программ для САПР субмикронных СБИС и учет электрофизических эффектов глубоко субмикронного уровня

Зольников

Владимир Константинович

Zolnikov

V. K.

Савченко

Андрей Леонидович

Savchenko

Andrey Леонидович

Кулай

А. Ю.

Kulay

A. Ю.

Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov

АО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва) Россия АО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва) Russian Federation

АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Россия АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Russian Federation

12 1 40 47

https://zh-szf.ru/en/nauka/article/30317/view

В статье рассматриваются характеристики и функции современных систем автоматизированного проектирования субмикронных СБИС. Основными фирмами-разработчиками систем данного класса являются Cadence Design Systems, Mentor Graphics и Synopsys. Проанализированы электрофизические эффекты субмикронного уровня, которые необходимо учитывать при разработке СБИС.

Системы автоматизированного проектирования (САПР) СБИС Cadence Design Systems Mentor Graphics Synopsys электрофизические эффекты глубоко субмикронный уровень.

Обзор программ для САПР субмикронных СБИС / В.А. Скляр, К.В. Зольников, В.В. Лавлинский, С.А. Евдокимова, В.И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.

Obzor programm dlya SAPR submikronnyh SBIS / V.A. Sklyar, K.V. Zol'nikov, V.V. Lavlinskiy, S.A. Evdokimova, V.I. Anciferova // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.

Обзор средств САПР для субмикронных СБИС / В.А. Скляр, К.В. Зольников, И.В. Нагорный, В.В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 60-64.

Obzor sredstv SAPR dlya submikronnyh SBIS / V.A. Sklyar, K.V. Zol'nikov, I.V. Nagornyy, V.V. Lavlinskiy // Modelirovanie sistem i processov. - 2012. - № 1. - S. 60-64.

Лисяк, В. В. Программные продукты САПР устройств с программируемой логикой / В. В. Лисяк, Н. К. Лисяк // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2014. - № 7 (156). - С. 93-101.

Lisyak, V. V. Programmnye produkty SAPR ustroystv s programmiruemoy logikoy / V. V. Lisyak, N. K. Lisyak // Izvestiya YuFU. Tehnicheskie nauki. - 2014. - № 7 (156). - S. 93-101.

EDA Tools and IP for System Design Enablement | Cadence. - Режим доступа: https://www.cadence.com/. - Загл. с экрана.

EDA Tools and IP for System Design Enablement | Cadence. - Rezhim dostupa: https://www.cadence.com/. - Zagl. s ekrana.

Mentor, a Siemens Business, leads in electronic design automation software - Mentor Graphics. - Режим доступа: https://www.mentor.com/. - Загл. с экрана.

Mentor, a Siemens Business, leads in electronic design automation software - Mentor Graphics. - Rezhim dostupa: https://www.mentor.com/. - Zagl. s ekrana.

Synopsys. - Режим доступа: https://www.synopsys.com/. - Загл. с экрана.

Synopsys. - Rezhim dostupa: https://www.synopsys.com/. - Zagl. s ekrana.

Скляр, В. А. Учет электрофизических эффектов субмикронного уровня при проектировании современных СБИС / В.А. Скляр, К.В. Зольников, И.В. Нагорный // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 3. - С. 42-44.

Sklyar, V. A. Uchet elektrofizicheskih effektov submikronnogo urovnya pri proektirovanii sovremennyh SBIS / V.A. Sklyar, K.V. Zol'nikov, I.V. Nagornyy // Modelirovanie sistem i processov. - 2012. - № 3. - S. 42-44.

Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования / А.В. Селецкий, Н.А. Шелепин, А.А. Смолин, А.В. Уланова // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2016. - № 4. - С. 178-183.

Issledovanie vliyaniya razbrosa tehnologicheskih parametrov SBIS na stoykost' k effektam nakoplennoy dozy radiacii s pomosch'yu sredstv priborno-tehnologicheskogo modelirovaniya / A.V. Seleckiy, N.A. Shelepin, A.A. Smolin, A.V. Ulanova // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem (MES). - 2016. - № 4. - S. 178-183.

Гаврилов, С. В. Методы ускоренной характеризации библиотек элементов СБИС с контролем заданной точности / С. В. Гаврилов, О. Н. Гудкова, Ю. Б. Егоров // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2010. - № 3 (83). - С. 51-60.

Gavrilov, S. V. Metody uskorennoy harakterizacii bibliotek elementov SBIS s kontrolem zadannoy tochnosti / S. V. Gavrilov, O. N. Gudkova, Yu. B. Egorov // Izvestiya vysshih uchebnyh zavedeniy. Elektronika. - 2010. - № 3 (83). - S. 51-60.

10.

Характеризация и моделирование сигналов в САПР / В. А. Скляр, В. К. Зольников, А. И. Яньков, Ю. А. Чевычелов, В. Ф. Барабанов // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 1. - С. 62-67.

Harakterizaciya i modelirovanie signalov v SAPR / V. A. Sklyar, V. K. Zol'nikov, A. I. Yan'kov, Yu. A. Chevychelov, V. F. Barabanov // Modelirovanie sistem i processov. - 2018. - T. 11, № 1. - S. 62-67.