УДК 621.384.6: 537.535Трехмерное моделирование элементов интегральных схем в условиях радиационного воздействия Three-dimensional modeling of elements of integral schemes in conditions radiation influencesПанюшкин Н.Н.Матвеев Н.Н.ФБГОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», г. Воронеж, Россияnnpan@yandex.ruDOI: 10.12737/6762 Аннотация. Рассмотрен метод трехмерного моделирования элементов интегральных схем в условиях воздействия ионизирующего излучения. Предложен алгоритм моделирования переходного ионизационного тока p-n-перехода позволяющий учесть эффект ограничения объема сбора носителей заряда (НЗ). Summary:Considered method of three-dimensional modeling of elements of integral schemes in conditions of influence ionizing radiations. Offered algorithm of modeling connecting ionizing current p-n-junction allowing take into account effect of restriction of volume a collection of carriers a charge.Ключевые слова: интегральные схемы, ионизирующее излучение, ионизационный ток.Keywords: integral circuits, ionizing radiation, ionizing current. К моделям элементов ИС предъявляются два противоречивых требования - они должны быть точными и экономичными. Компромисс может быть достигнут путем введения физических оправданных упрощений математических моделей. Одним из наиболее эффективных компромиссных подходов такого рода является метод региональных приближений [1]. Метод предусматривает разбиение транзисторной структуры на отдельные области, совпадающие с областью пространственного заряда p-n-переходов и квазинейтральными областями. При этом появляется возможность произвести расчет полупроводниковой структуры по частям. В качестве критерия правомерности разбиения структуры на отдельные области (секции) будем использовать условие постоянства граничных условий.    Для МОП-транзистора, изготовленного по КНИ технологии (рис.1), переходные ионизационные токи каждого из р-n-переходов «исток-карман» и «сток-карман» состоят из четырех составляющих.