В статье показана практическая реализация эффекта вымораживания примеси в слаболегированных областях стока и истока (LDD) в Verilog-A модели резистора. Данная модель разработана на основе теоретических представлений об эффекте вымораживания примеси при криогенных температурах и данных TCAD моделирования МОП транзистора. Данные TCAD моделирования были представлены набором необходимого минимума характеристик, а именно — проходными характеристиками n- и p-канальных транзисторов Id(Vg) в линейном режиме (Vd=0.1 В) и в температурном диапазоне от −200 °C до 27 °C для транзисторов, геометрическими размерами затвора 10 мкм × 10 мкм. Модель применима к использованию в составе макромодели МОП транзистора для КМОП технологического процесса на объёмном кремнии с напряжением питания 1.8 В и минимальной длиной канала транзистора 0.18 мкм. Поскольку модель разработана на основе ограниченного набора данных TCAD моделирования, то в представленном в статье варианте она является базой, на основе которой возможно построение уже геометрически масштабируемой модели, валидной во всём диапазоне напряжений на стоке, для последующего применения при проектировании.
The article shows the practical implementation of the impurity freeze-out effect in the lightly-doped areas of the drain and source (LDD) in the Verilog-A model of the resistor. This model is based on a theoretical understanding of the freeze-out effect at cryogenic temperatures and data from the TCAD simulation of a MOSFET. The TCAD simulation data were represented by transconductance characteristics of n- and p-channel transistors Id(Vg) in linear mode (Vd=0.1 V) at temperature range from -200 °C to 27 °C for transistors with dimensions 10 um × 10 um. The model is applicable to the use as part of a macromodel of a MOSFET transistor for a CMOS bulk process with a supply voltage of 1.8 V and a minimum channel length of 0.18 um. Since the model is based on a limited set of TCAD modeling data, this version is the basis on which it is possible to build a geometrically scalable model that will be valid over the entire range of drain voltages.