В настоящее время микросхемы памяти занимают одну из наиболее широких областей применения, в частности, на базе микроконтроллеров построено практически все вычислительные системы, технологическое и медицинское оборудование и т.д. Однако данные быстродействующие ИС обладают повышенной чувствительностью к воздействию ЭСР [1].Микросхемы значительную часть производственного цикла проводят вне плат, в составе которых будут функционировать впоследствии, а некоторые – например, центральные процессоры, оперативная память, остаются без защиты вплоть до поступления к конечному пользователю и, соответственно, монтажа. В связи с этим, вопрос взаимодействия ИС с оператором (пользователем) неизбежно приведет к появлению и последующему воздействию разрядов статического электричества [2].Одним из важнейших требований, предъявляемых при проектировании схем защиты − не ухудшать параметры самой ИС. Однако немаловажными являются такие требования, как [3]: −  небольшая площадь, занимаемая схемой; −  способность эффективно ограничивать напряжение разряда, подаваемого на схему; −  возможность шунтировать напряжение и токи перегрузки, возникающие при ЭСР; −  ограничение физической области схемы на кристалле, на которую воздействует ЭСР; −  максимально быстрое время срабатывания и минимальное время задержки при нормальной работе ИС в диапазоне изменений питающего напряжения.