I. ВведениеЭлектронные приборы, функционирующие в радиационно‑активных средах, со временем испытывают деградацию параметров из‑за воздействия высокоэнергетичных частиц. Биполярные транзисторы (БТ) — ключевые элементы аналоговых и высокочастотных схем — проявляют тип радиационной стойкости, отличающийся от поведения МОП‑структур. В настоящем обзоре под статическими потоками понимаются квазистабильные флюенсы протонов с энергиями 1–63 МэВ, характерными для радиационных поясов Земли. Такие протоны инициируют как ионизационные процессы, связанные с накоплением заряда в диэлектриках и образованием интерфейсных ловушек, так и смещения атомов решётки, формирующие объёмные дефекты в кристалле. В работе анализируются механизмы деградации, оцениваются изменения ключевых электрических характеристик транзисторов и обсуждаются модели, описывающие наблюдаемое поведение.  В работе внимание уделяется трем типах конструк-ций: традиционных кремниевых NPN/PNP транзисторах, кремниево германиевых HBT на объёмном кремнии и тех же HBT, реализованных в процессе BiCMOS SOI.II. Принципы работы биполярного транзистораБиполярный транзистор ¾ прибор, состоящий из трех полупроводниковых областей с чередующимся типом проводимости (n-p-n или p-n-p) с двумя p-n-переходами, пригодный для усиления, генерации и переключения электрических сигналов. Основа принципа его действия состоит в том, что ток прямо смещенного p-n-перехода вызывает изменение тока другого перехода, смещенного в обратном направлении, т.е. это прибор, управляемый током. Которые принято называть эмиттером (Э), базой (Б) и коллектором (К). Существует два типа биполярных транзисторов: p–n–p и n–p–n. Рис. 1. Схемные изображения биполярных транзисторов: а) структура n-p-n, б) структура p-n-p Рис 2. Вид внутреннего устройства биполярного транзистора p-n-p структурыНа рис. 2 показан упрощенный вид внутренней структуры объемного маломощного биполярного p-n-p транзистора. Крайнюю слева р+ область называют эмиттером. Промежуточная n область называется базой. Крайняя p область справа ¾ коллектор. Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным, а между базой и коллектором ¾ коллекторным.Главная идея работы БТ ¾ управление большим током коллектора при помощи малого тока базы.β=ICIB где IC  - ток коллектора;IB  -  ток базы. Также справедливо соотношение:IE=IC+IB где IE-  ток эмиттера;Ток эмиттера «закачиваются» в базу. Часть электронов рекомбинирует в базе (формируя ток базы), а большая часть доходит до перехода база--коллектор, который, как правило, смещён в обратном направлении, и электроны, достигшие коллектора, формируют коллекторный ток. Рекомбинация ¾ то процесс, при котором электрон «встречается» с дыркой, и они взаимно уничтожают друг друга (аннигилируют), выделяя энергию (обычно в виде тепла). Чем больше дефектов, тем выше вероятность рекомбинации и меньше носителей заряда успевают добраться до коллектора.Носитель заряда ¾ это частица, которая может переносить электрический заряд. Проще говоря, это «носитель» того, что позволяет току течь в цепи. Например:Электроны, это отрицательно заряженные частицы, которые двигаются в проводниках, а дырки, это фактически «отсутствие электрона» в кристаллической решётке полупроводника; их можно считать положительными носителями заряда.В полупроводниках, таких как кремний, электроны и дырки являются основными носителями заряда, позволяющими устройствам работать.Режим работы транзистора зависит от полярности напряжений, подаваемых на переходы: режим отсечки (оба перехода смещены в обратном направлении); режим насыщения (оба перехода смещены в прямом направлении);  активный режим (на эмиттерном переходе прямое напряжение, на коллекторном обратное);инверсный режим, противоположный активному.