Modeling of systems and processesModeling of systems and processesМоделирование систем и процессов2219-07671030210.12737/17164Технические наукиТехнические наукиTHE RANGE OF VALUES OF THE PARAMETERS THAT DETERMINE THE KINETICS OF ACCUMULATION OF CHARGE IN THE DIELECTRIC UNDER RADIATION EFFECTВыбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействииКрюковВ. П.KryukovV. П.АчкасовАлександр ВладимировичAchkasovA. VladimirovichЗольниковВладимир КонстантиновичZolnikovVladimir Константиновичwkz@rambler.ruСклярВ. А.SklyarV. А.АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»ВоронежРоссияАО «Научно-исследовательский институт электронной техники»ВоронежRussian FederationВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. МорозоваVoronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. MorozovАО "Научно-исследовательский институт электронной техники"РоссияАО "Научно-исследовательский институт электронной техники"Russian Federation1101201611012016833133https://zh-szf.ru/en/nauka/article/10302/view
В работе рассмотрены вопросы определения значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии. Освещено моделирование процесса накопления поверхностных состояний.
The paper considers the issues of determining the values of the parameters that determine the kinetics of accumulation of charge in the dielectric under radiation effect. Lighted modeling of process of accumulation of surface states.
Важным моментом при проведении моделирования является определение значений параметров, которые входят в уравнения непрерывности для процессов, приводящих к возникновению ответственных за накопление заряда дефектов. Довольно часто моделирование проводят расчетно-экспериментальным методом с подбором параметров модели по критерию наилучшего совпадения экспериментальных данных и результатов расчетов [1-5]. Данный подход оправдан, так как параметры, которые определяют кинетику зарядовых процессов, во многом зависят от конструктивно-технологического исполнения и исходного состояния МОП-структуры, подвергшейся действию облучения. При отсутствии данных, полученных экспериментальным путем, для моделируемых структур для выбора параметров модели следует руководствоваться рекомендациями приведенными ниже.
Скляр, В. А. Учет электрофизических эффектов субмикронного уровня при проектировании современных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, И. В. Нагорный / Моделирование систем и процессов. - 2012. - №3. - С. 42-44.Sklyar, V. A. Uchet elektrofizicheskikh effektov submikronnogo urovnya pri proektirovanii sovremennykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, I. V. Nagornyy / Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - №3. - S. 42-44.Скляр, В. А. Проектирование и испытания микросхем для систем сбора и обработки информации [Текст] / В. А. Скляр, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников // Радиотехника. - 2014. - № 6. - С. 94-98.Sklyar, V. A. Proektirovanie i ispytaniya mikroskhem dlya sistem sbora i obrabotki informatsii [Tekst] / V. A. Sklyar, A. V. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Radiotekhnika. - 2014. - № 6. - S. 94-98.Скляр, В. А. Создание тестовых последовательностей [Текст] / В. А. Скляр, В. Н. Крюков, В. Н. Ачкасов // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 65-70.Sklyar, V. A. Sozdanie testovykh posledovatel´nostey [Tekst] / V. A. Sklyar, V. N. Kryukov, V. N. Achkasov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - № 1. - S. 65-70.Смерек, В. А. Разработка средств повышения радиационной стойкости и создание радиационно-стойких СБИС [Текст] / В. А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 3-4. - С. 31-33.Smerek, V. A. Razrabotka sredstv povysheniya radiatsionnoy stoykosti i sozdanie radiatsionno-stoykikh SBIS [Tekst] / V. A. Smerek. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2010. - № 3-4. - S. 31-33.Смерек, В. А. Реализация методов защиты от одиночных сбоев для микропроцессоров [Текст] / В. А. Смерек, В. М. Антимиров, В. Е. Межов // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 80-87.Smerek, V. A. Realizatsiya metodov zashchity ot odinochnykh sboev dlya mikroprotsessorov [Tekst] / V. A. Smerek, V. M. Antimirov, V. E. Mezhov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - № 4. - S. 80-87.Таперо, К. И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. [Текст] : дис. … канд. ф.-м. наук / К. И. Таперо. - Москва, 1997.Tapero, K. I. Kinetika nakopleniya i otzhiga radiatsionnykh defektov v aktivnykh oblastyakh kremnievykh MOP i KMOP struktur. [Tekst] : dis. … kand. f.-m. nauk / K. I. Tapero. - Moskva, 1997.