Modeling of systems and processesModeling of systems and processesМоделирование систем и процессов2219-07671030910.12737/17171Технические наукиТехнические наукиBASES OF THE SHAPING 3D MODELS FOR DESIGNING MODERN MOS-TRANSISTOR WITH USE THE SYNTHESES TO VIRTUAL REALITYОсновы формирования 3D моделей для проектирования современных МОП-транзисторов с использованием синтеза виртуальной реальностиЖвадАхмед Хашим ХалильZhvadAkhmed Хашим ХалильЛавлинскийВалерий ВикторовичLavlinskiyV. ViktorovichСавченкоАндрей ЛеонидовичSavchenkoAndrey ЛеонидовичВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. МорозоваVoronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. MorozovАО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва)РоссияАО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва)Russian Federation1101201611012016835964https://zh-szf.ru/en/nauka/article/10309/view
В статье рассматриваются основы формирования 3D моделей для проектирования современных МОП - транзисторов с использованием синтеза виртуальной реальности в целях создания в САПР базы электронных компонентов субмикронных СБИС.
Bases of the shaping 3D models are considered In article for designing a modern MOS - transistor with use the syntheses to virtual reality in purpose of the creation in CAD bases electronic component super large scale integration circuit.
САПРМОП – транзисторысинтез виртуальной реальности.CADMOS-transistorssyntheses of virtual reality.
I. ВведениеВ настоящее время основой использования методов синтеза виртуальной реальности для проектирования МОП–транзисторов являются процессы и методы формирования 3D моделей в виде структурных решёток материалов тех слоёв из которых формируются транзисторы, а также определение связей между параметрами материалов с электрическими параметрами электронной компонентной базы.Для построения 3D моделей любых проектируемых транзисторов необходимо опираться на особенности их структур. Так, например, имеются следующие структуры транзисторов: биполярные, планарные, КНИ или КНС, полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, полевые транзисторы с изолированным затвором и с индуцированным каналом, полевые транзисторы с изолированным затвором и со встроенным каналом, представленных на рис. 1.
Лавлинский, В. В. Анализ ячеек кристаллических решёток полупроводниковых материалов для синтеза виртуальной реальности при проектировании радиационно-стойких элементов электронной компонентной базы [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 44-53.Lavlinskiy, V. V. Analiz yacheek kristallicheskikh reshetok poluprovodnikovykh materialov dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri proektirovanii radiatsionno-stoykikh elementov elektronnoy komponentnoy bazy [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 4. - S. 44-53.Лавлинский, В. В. Информационное обеспечение синтеза виртуальной реальности в условиях нечёткого представления контролируемых параметров при проектировании информационных объектов АСТПП [Электронный ресурс] / В. В. Лавлинский, Е. Е. Обручникова, Ю. С. Сербулов // Политематический сетевой электронный научный журнал Кубанского государственного аграрного университета. - 2012. - № 76. - С. 410-421.Lavlinskiy, V. V. Informatsionnoe obespechenie sinteza virtual´noy real´nosti v usloviyakh nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov pri proektirovanii informatsionnykh ob´´ektov ASTPP [Elektronnyy resurs] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Politematicheskiy setevoy elektronnyy nauchnyy zhurnal Kubanskogo gosudarstvennogo agrarnogo universiteta. - 2012. - № 76. - S. 410-421.Лавлинский, В. В. Основа метода проектирования информационных объектов автоматизации для систем технологической подготовки производства на основе синтеза виртуальной реальности в условиях нечёткого представления параметров [Текст] / В. В. Лавлинский, Е. Е. Обручникова, Ю. С. Сербулов // Вестник Воронежского государствнного технического университета. - 2010. - Т.6. - № 11. - С. 192-198.Lavlinskiy, V. V. Osnova metoda proektirovaniya informatsionnykh ob´´ektov avtomatizatsii dlya sistem tekhnologicheskoy podgotovki proizvodstva na osnove sinteza virtual´noy real´nosti v usloviyakh nechetkogo predstavleniya parametrov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Vestnik Voronezhskogo gosudarstvnnogo tekhnicheskogo universiteta. - 2010. - T.6. - № 11. - S. 192-198.Лавлинский, В. В. Программная реализация моделей для синтеза виртуальной реальности АСТПП для условий нечёткого представления контролируемых параметров при проектировании систем [Текст] / В. В. Лавлинский, Е. Е. Обручникова // Вестник Воронежского института высоких технологий. - 2009. - № 5. - С. 184-187.Lavlinskiy, V. V. Programmnaya realizatsiya modeley dlya sinteza virtual´noy real´nosti ASTPP dlya usloviy nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov pri proektirovanii sistem [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova. Vestnik Voronezhskogo instituta vysokikh tekhnologiy. - 2009. - № 5. - S. 184-187.Лавлинский, В. В. Проектирование различных слоёв кристаллической решётки элементов с использованием методов объектно-ориентированного программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, С. И. Лыков, А. С. Аушра // Моделирование систем и процессов. - 2014. - № 2. - С. 16-19.Lavlinskiy, V. V. Proektirovanie razlichnykh sloev kristallicheskoy reshetki elementov s ispol´zovaniem metodov ob´´ektno-orientirovannogo programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, S. I. Lykov, A. S. Aushra. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 2. - S. 16-19.Лавлинский, В. В. Синтез виртуальной реальности при проектировании информационных объектов условиях нечёткого представления контролируемых параметров [Текст] / В. В. Лавлинский, Е. Е. Обручникова, Ю. С. Сербулов // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 3. - С. 37-44.Lavlinskiy, V. V. Sintez virtual´noy real´nosti pri proektirovanii informatsionnykh ob´´ektov usloviyakh nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2011. - № 3. - S. 37-44.Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 33-35.Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 16-20.Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 20-25.Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 24-32.Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.Лавлинский, В. В. Современное проектирование электронной компонентной базы [Текст] / К. В. Зольников, В. В. Лавлинский // Экономика. Инновации. Управление качеством. - 2015. - № 1 (10). - С. 40-41.Lavlinskiy, V. V. Sovremennoe proektirovanie elektronnoy komponentnoy bazy [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy. Ekonomika. Innovatsii. Upravlenie kachestvom. - 2015. - № 1 (10). - S. 40-41.Лавлинский, В. В. Анализ функциональных возможностей САПР Microcap на примере схемы МОП-транзистора [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2014. - № 1. - С. 30-37.Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR Microcap na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 30-37.Лавлинский, В. В. Анализ функциональных возможностей САПР SIMETRIX на примере схемы МОП-транзистора [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2014. - № 1. - С. 38-43.Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR SIMETRIX na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 38-43.Лавлинский, В. В. Анализ функциональных возможностей САПР WORKBENCH на примере схемы МОП-транзистора [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2014. - № 1. - С. 43-54.Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR WORKBENCH na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 43-54.Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т.4 (16). - С. 280-291Zol´nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4 (16). - S. 280-291Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - №2. - С. 72-76.Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - №2. - S. 72-76.