I. ВведениеВ настоящее время широкое развитие получает направление импортозамещения в различных областях промышленности Российской Федерации. Не исключением является и область развития электронной компонентной базы. Поэтому разработка методов проектирования и оценки параметров новых изделий, для нанометровых диапазонов с учётом физических процессов, происходящих в проектируемой электронной компонентной базе, является своевременной и актуальной. Ввиду этого предлагаются результаты формирования 3D моделей МОП – транзисторов с использованием методов синтеза виртуальной реальности. В настоящее время актуальной проблемой является необходимость создания электронной компонентной базы с новыми структурами, с использованием новых материалов, с применением современных нанотехнологий. Этапы проектирования, на современном этапе развития технологий, элементов электронной компонентной базы требуют большей гибкости, учёта новых параметров, геометрических параметров и структур. Ввиду этого возрастает необходимость в унификации процессов формализации проектных процедур проектирования с использованием систем автоматизации проектирования (САПР).