Modeling of systems and processes

Моделирование систем и процессов

2219-0767

11760

10.12737/19493

Технические науки

ANALYSIS OF THE MATHEMATICAL DEPENDENCIES EKV MODELS TO FORMALIZE PROCEDURES OF THE DESIGNING MOS-TRANSISTOR

Анализ математических зависимостей EKV модели для формализации процедур проектирования МОП-транзисторов

Лавлинский

Валерий Викторович

Lavlinskiy

V. Viktorovich

Жвад

Ахмед Хашим Халиль

Zhvad

Akhmed Хашим Халиль

Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov

10 05 2016

8 4 27 33

https://zh-szf.ru/en/nauka/article/11760/view

В статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования МОП – транзисторов.

In article is considered mathematical dependencies EKV models to formalize procedures of the designing MOS-transistor.

Формализация процедур проектирования САПР МОП – транзисторы математические зависимости EKV модель.

formalization of the designing procedures CAD MOS - transistors mathematical dependencies EKV model.

I. ВведениеВ настоящее время совершенствуются методы решения задач в различных областях деятельности с помощью современных информационных технологий. Одним из таких направлений исследования являются методы синтеза виртуальной реальности. С этой целью возникает необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к методам синтеза виртуальной реальности. Поэтому в данной статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования электронной компонентной базы (на примере МОП-транзисторов) применительно к методам синтеза виртуальной реальности в САПР.

Петросянц, К. О. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП - транзисторов, учитывающая радиационные эффекты [Электронный ресурс] / Петросянц К.О. , Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С. // http://miem.hse.ru/data/2013/01/23/1306490252/ 8_Петросянц_EKV_rad.pdf

Petrosyants, K. O. Makromodel´ EKV-RAD dlya KNI/KNS MOP - tranzistorov, uchityvayushchaya radiatsionnye effekty [Elektronnyy resurs] / Petrosyants K.O. , Kharitonov I.A., Samburskiy L.M., Adonin A.S.. http://miem.hse.ru/data/2013/01/23/1306490252/ 8_Petrosyants_EKV_rad.pdf

Bogatyrev, V. N. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko // В сборнике: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - 2013. - С. 667.

Bogatyrev, V. N. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko. V sbornike: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - 2013. - S. 667.

Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz // John Wiley & Sons, Ltd. - P.328.

Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz. John Wiley & Sons, Ltd. - P.328.

http://yandex.ru/clck/jsredir?from=yandex.ru %3Byandsearch%3Bweb%3B%3B&text=&etext=577.se_JKmluuUUqZLLsXbG3-4MGQ6cjZ6Vl5v3Nl kZ3 BjfrD-B4n6Kgc The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation.

Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 16-20.

Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.

Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.

Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.

Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 24-32.

Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.

Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 33-35.

Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.

Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 20-25.

Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.

10.

Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т.4. №4 (16). - С. 280-291.

Zol´nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4. №4 (16). - S. 280-291.