Россия
В статье рассматриваются разработанные формализованные модели в MATLAB для формирования зависимостей отдельных параметров МОП - транзисторов от температуры для компонентов САПР.
Формализация процедур проектирования, САПР, МОП – транзисторы, формализованные модели.
I. Введение
В настоящее время существует необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к МОП – транзисторам. Тем не менее разработка формализованных моделей формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов включает в себя сложности в выборе как языка программирования, так и программного обеспечения, позволяющего объединять достоинства объектно-ориентированного языка программирования с возможностью 3D моделирования и использования методов синтеза виртуальной.
Ввиду этого в данной статье представлены формализованные модели формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов от температуры на основе математического пакета прикладных программ MATLAB, который позволяет интегрировать разработанные модели в САПР Cadence.
1. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 16-20.
2. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 24-32.
3. Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 33-35.
4. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 20-25.
5. Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т.4. №4 (16). - С. 280-291.
6. Лавлинский, В. В. Анализ математических зависимостей EKV модели для формализации процедур проектирования МОП - транзисторов [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т.8. № 4. - С. 27-33.
7. Лавлинский, В. В. Модели формализации МОП-транзисторов на основе объектно-ориентированного языка программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т.9. № 2. - С. 15-22.
8. Лавлинский, В. В. Алгоритм формализации МОП-транзисторов для объектно-ориентированного языка программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2016. -Т.9. № 2. - С. 4-14.
