I. Введение В настоящее время испытания с учетом эффектов структурных повреждений принято проводить не для всех классов полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных схем (ИС), а только для тех из них, которые известны как чувствительные к деградации за счет данных эффектов. В частности, для изделий МОП- и КМОП-технологии обычно проводятся испытания только в части ионизационных дозовых эффектов, и данный подход закреплен на уровне нормативно-технических документов, регламентирующих испытания на стойкость к воздействию ИИ КП (см., например, [1]). При этом широко распространено при испытаниях раздельное моделирование ионизационных эффектов и эффектов структурных повреждений. Ионизационные дозовые эффекты обычно моделируются с помощью облучения гамма-квантами [1-4], тогда как для моделирования деградации за счет эффектов структурных повреждений может применяться облучение быстрыми нейтронами или облучение высокоэнергетическими протонами [1]. Применение данного подхода вполне обосновано в случаях, когда деградация испытываемого изделия преимущественно определяется либо ионизационными дозовыми эффектами, либо эффектами структурных повреждений: в таких случаях действительно можно ограничиться моделированием при испытаниях доминирующего радиационного эффекта и пренебречь другими эффектами, даже если они имеют место. Более того, в случаях, когда ионизационные дозовые эффекты и эффекты структурных повреждений имеют аддитивный характер, что характерно, например, для биполярных транзисторов и микросхем, по кривым деградации, полученным раздельно при воздействии гамма-квантов и нейтронов (или протонов), можно рассчитать суммарную деградационную кривую для любых заданных радиационных условий КП (такая методика разработана в рамках данной диссертации, и она будет представлена ниже). Если же ионизационные дозовые эффекты и эффекты структурных повреждений не являются аддитивными, что свойственно, например, оптронам [5, 6], то полученные раздельно кривые деградации при воздействии гамма-квантов и нейтронов (или протонов) в большинстве случаев не дают возможности прогнозировать срок службы испытываемых изделий в заданных радиационных условиях КП. Тем не менее, как будет позже показано в настоящей работе, использование раздельного моделирования ионизационных эффектов и эффектов структурных повреждений может служить основой для методики прогнозирования срока службы изделий как с аддитивным, так и с неаддитивным характером данных эффектов в любых заданных радиационных условиях КП.