Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 33835 10.12737/2219-0767-2019-12-3-83-89 Технические науки Технические науки RESULTS OF RESEARCH OF RECTIFIER DIODES ON RESISTANCE Результаты исследований выпрямительных диодов на стойкость Яньков Андрей Ильич Yankov A. Il'ich Зольников Константин Владимирович Zolnikov Konstantin Vladimirovich Кулай А. Ю. Kulay A. Ю. Савченко Андрей Леонидович Savchenko Andrey Леонидович Струков Иван Игоревич Strukov I. I. Евдокимова Светлана Анатольевна Evdokimova Svetlana Anatol'evna

кандидат технических наук;

candidate of technical sciences;

 Скворцова Татьяна Владимировна Skvortsova Tatyana Vladimirovna Ягодкин Александр Сергеевич Yagodkin A. Sergeevich Квасов Олег Николаевич Kvasov Oleg Nikolaevich Панова Наталья Александровна Panova N. A. Фесикова Оксана Валерьевна Fesikova Oksana Valer'evna ООО "НПП "Детектор" Россия LLC «SPE Detector» Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Россия Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Russian Federation АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Россия АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Russian Federation АО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва) Россия АО «Научно-исследовательский институт микроприборов» (г. Москва) Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Воронежский государственный аграрный университет им. императора Петра I Россия Voronezh State Agrarian University named after Emperor Peter I Russian Federation 12 3 83 89 https://zh-szf.ru/en/nauka/article/33835/view

В статье описываются исследования выпрямительных диодов на стойкость к воздействию специальных факторов. В качестве критерия работоспособности диодов рассматривались постоянный обратный ток Iобр и прямое напряжение диода Uобр. По результатам расчетно-экспериментальной оценке стойкости выпрямительных диодов к специальным факторам построены графические зависимости обратного тока и прямого напряжения от значения специального фактора.

The article describes the study of rectifier diodes for resistance to special factors. The direct reverse current Iobr and the forward voltage of the diode Uobr were considered as a criterion for the performance of diodes. Based on the results of the calculation and experimental evaluation of the resistance of rectifier diodes to special factors, graphical dependences of the reverse current and direct voltage on the value of the special factor are constructed.

 Выпрямительный диод стойкость радиоэлектроника тепловой эффект постоянный обратный ток диода прямое напряжение диода. rectifier diode resistance electronics thermal effect a constant reverse current of the diode the forward voltage of the diode

Современное состояние разработок элементной базы для систем контроля мониторинга / В. К. Зольников, А. Ю. Кулай, В. П. Крюков, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова, К. А. Яковлев, О. Н. Черкасов // Цифровизация агропромышленного комплекса : сборник научных статей. - Тамбов : ТГТУ, 2018. - С. 226-228. Sovremennoe sostoyanie razrabotok elementnoy bazy dlya sistem kontrolya monitoringa / V. K. Zol'nikov, A. Yu. Kulay, V. P. Kryukov, S. A. Evdokimova, T. V. Skvorcova, K. A. Yakovlev, O. N. Cherkasov // Cifrovizaciya agropromyshlennogo kompleksa : sbornik nauchnyh statey. - Tambov : TGTU, 2018. - S. 226-228. Ачкасов, А. В. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем / А.В. Ачкасов, A.И. Яньков // Приводная техника. - 2006. - № 5. - С. 28-30. Achkasov, A. V. Sozdanie otechestvennoy proektnoy sredy razrabotki mikroelektronnyh sistem / A.V. Achkasov, A.I. Yan'kov // Privodnaya tehnika. - 2006. - № 5. - S. 28-30. Зольников, К. В. Современное проектирование электронной компонентной базы / К. В. Зольников, В.В. Лавлинский // Экономика. Инновации. Управление качеством. - 2015. - № 1 (10). - С. 40-41. Zol'nikov, K. V. Sovremennoe proektirovanie elektronnoy komponentnoy bazy / K. V. Zol'nikov, V.V. Lavlinskiy // Ekonomika. Innovacii. Upravlenie kachestvom. - 2015. - № 1 (10). - S. 40-41. Арзамасцев, М. Ю. Анализ стойкости к ТЗЧ радиационно-стойкого микроконтроллера 1874BE10T, выполненного по отечественной технологии 0.25 мкм / М.Ю. Арзамасцев, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 1. - С. 4-9. Arzamascev, M. Yu. Analiz stoykosti k TZCh radiacionno-stoykogo mikrokontrollera 1874BE10T, vypolnennogo po otechestvennoy tehnologii 0.25 mkm / M.Yu. Arzamascev, A.I. Yan'kov // Modelirovanie sistem i processov. - 2018. - T. 11, № 1. - S. 4-9. Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К.В. Зольников, В.А. Скляр, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 5-9. Metody shemotehnicheskogo modelirovaniya KMOP SBIS s uchetom radiacii / K.V. Zol'nikov, V.A. Sklyar, V.I. Anciferova, S.A. Evdokimova // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 2. - S. 5-9. Развитие технологии и платформ проектирования при топологических нормах менее 90 нм / В.А. Скляр, К.В. Зольников, В.В. Лавлинский, К.И. Таперо, А.И. Озеров // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 72-76. Razvitie tehnologii i platform proektirovaniya pri topologicheskih normah menee 90 nm / V.A. Sklyar, K.V. Zol'nikov, V.V. Lavlinskiy, K.I. Tapero, A.I. Ozerov // Modelirovanie sistem i processov. - 2012. - № 4. - S. 72-76. Иванов, П. А. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния. Обзор / П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, № 8. -С. 897-913. Ivanov, P. A. Moschnye bipolyarnye pribory na osnove karbida kremniya. Obzor / P. A. Ivanov, M. E. Levinshteyn, T. T. Mnacakanov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. - 2005. - T. 39, № 8. -S. 897-913. Беляева, Т. П. Модель оптимального планирования проектов создания изделий микроэлектроники проектов / Т.П. Беляева, А.П. Затворницкий // Программные продукты и системы. - 2011. - № 2. - С. 61-64. Belyaeva, T. P. Model' optimal'nogo planirovaniya proektov sozdaniya izdeliy mikroelektroniki proektov / T.P. Belyaeva, A.P. Zatvornickiy // Programmnye produkty i sistemy. - 2011. - № 2. - S. 61-64. Крюков, В. П. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения в САПР / В.П. Крюков, К.В. Зольников, С.А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 41-44. Kryukov, V. P. Problemy modelirovaniya bazovyh elementov KMOP BIS dvoynogo naznacheniya v SAPR / V.P. Kryukov, K.V. Zol'nikov, S.A. Evdokimova // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 4. - S. 41-44. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2012. - № 1. - С. 634-637. Metody obespecheniya stoykosti mikroshem k odinochnym sobytiyam pri proektirovanii radiacionno-stoykih mikroshem / V. N. Achkasov, V. A. Smerek, D. M. Utkin, V. K. Zol'nikov // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem (MES). - 2012. - № 1. - S. 634-637. Зольников, К. В. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения / К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 3-4. - С. 20-27. Zol'nikov, K. V. Problemy modelirovaniya bazovyh elementov KMOP BIS dvoynogo naznacheniya / K. V. Zol'nikov // Modelirovanie sistem i processov. - 2010. - № 3-4. - S. 20-27. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т. 4, № 4 (16). - С. 280-291. Modelirovanie ionizacionnyh effektov i effektov smescheniya v cifrovyh mikroshemah dlya SAPR / V. K. Zol'nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Anciferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov // Lesotehnicheskiy zhurnal. - 2014. - T. 4, № 4 (16). - S. 280-291. Яньков, А. И. Сравнительный анализ процессов возникновения ионизационного тока в транзисторных ключах КМОП И КМОП КНИ-технологиях / А. И. Яньков, В. К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2010. - № 3. - С. 40-41. Yan'kov, A. I. Sravnitel'nyy analiz processov vozniknoveniya ionizacionnogo toka v tranzistornyh klyuchah KMOP I KMOP KNI-tehnologiyah / A. I. Yan'kov, V. K. Zol'nikov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2010. - № 3. - S. 40-41.