<?xml version="1.0"?>
<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">3729</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/6081</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">MATHEMATICAL RATIOS TO IONIZATION CURRENT CORRESPONDS TO A DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGY</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Математические соотношения для тока ионизации, соответствующие глубоко-субмикронным технологиямм</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Зольников</surname>
       <given-names>Константин Владимирович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Zolnikov</surname>
       <given-names>Konstantin Vladimirovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2014-10-29T00:00:00+03:00">
    <day>29</day>
    <month>10</month>
    <year>2014</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2014-10-29T00:00:00+03:00">
    <day>29</day>
    <month>10</month>
    <year>2014</year>
   </pub-date>
   <volume>7</volume>
   <issue>2</issue>
   <fpage>8</fpage>
   <lpage>11</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://zh-szf.ru/en/nauka/article/3729/view">https://zh-szf.ru/en/nauka/article/3729/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>Рассматриваются соотношения для тока ионизации в чувствительном объеме СБИС. Предложена методика изменения параметров для данного соотношения</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>The correlation for the ionization current in the sensitive volume of VLSI. The technique of changing parameters for a given ratio</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>САПР</kwd>
    <kwd>ток ионизации</kwd>
    <kwd>локальные радиационные эффекты</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>CAD</kwd>
    <kwd>ionization current</kwd>
    <kwd>local radiation effects</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p> Известна форма зависимости изменения тока потребления со временем, состоящая из двух частей: «начальной», которая соответствует подъему или нарастанию тока ионизации и конечной, которая соответствует спаду тока ионизации [1, 2].  Задача состоит в том, чтобы описать этот процесс единой математической формулой.  Первое наше допущение будет состоять в том, что данная зависимость описывается функцией экспоненциального характера. Тогда такую зависимость можно представить в виде двух функций. В момент попадания ТЗЧ на схему значения тока ионизации начинает увеличиваться, и описывается следующим выражением                         (1) Зависимость значения тока ионизации от времени представлена на рис. 1. Достигнув насыщения в моменты времени tнас значения тока будет максимальным.                              (2) На рис. 2 представлено уменьшение тока ионизации со временем.  Рис. 1. Возрастание тока ионизации при попадании частицы в первый момент воздействия ТЗЧ  Рис. 2. Уменьшение тока ионизации от времени при «рассасывании» носителей заряда, образовавшихся  после попадания частицы </p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, К. В. Моделирование работы компонентов микросхем в условиях воздействия радиации в САПР [Текст] / К. В. Зольников, Ю. А. Чевычелов // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 14-17.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol&amp;#180;nikov, K. V. Modelirovanie raboty komponentov mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya radiatsii v SAPR [Tekst] / K. V. Zol&amp;#180;nikov, Yu. A. Chevychelov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 14-17.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, К. В. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol&amp;#180;nikov, K. V. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / K. V. Zol&amp;#180;nikov, V. A. Sklyar, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
