Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 42333 10.12737/2219-0767-2021-13-4-32-38 Технические науки Технические науки NARROWING OF THE GAAS LED EMISSION SPECTRUM DUE TO THE USE OF THE INP (AG) LIGHT FILTER Сужение спектра излучения GaAs светодиода за счет применения светофильтра InP (Ag) Макаренко Филипп Владимирович Makarenko F. V. Арсентьев А. В. Arsent'ev A. V. Зольников Константин Владимирович Zolnikov Konstantin Vladimirovich Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Воронежский государственный технический университет Voronezh State Technical University Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Россия Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Russian Federation 13 4 32 38 https://zh-szf.ru/en/nauka/article/42333/view

Исследован спектр излучения ИК-светодиода АЛ115В при токах 6,3 мА и 56 мА, а также, спектр с использованием InP (Ag) - светофильтра при 56 мА. Представлена классическая аппроксимация спектра спонтанного излучения прямозонного светодиода (без учёта сужения ширины запрещённой зоны за счёт высокой степени легирования СИД). Оценены аналитическая и экспериментальная ширины запрещённой зоны СИД. Представлен спектр пропускания InP (Ag) – светофильтра с учётом потерь на отражении в области фундаментальных переходов. Определена спектральная зависимость (фрагмент) коэффициента поглощения InP. Оценена погрешность. Предложено применение АЛ115В со светофильтром InP (Ag) с целью сужения спектральной полосы излучения с 53 нм до 34 нм.

АЛ115В LED emission spectrum at currents of 6.3 mA and 56 mA, as well as the emission spectrum using an InP (Ag) light filter at current 56 mA, are studied. A classical approximation of the spontaneous emission spectrum of a straight-band LED is presented (without taking into account the narrowing of the band gap due to the high degree of LED doping). The analytical and experimental widths of the LED band gap are estimated. The transmission spectrum of an InP (Ag) light filter is presented, taking into account reflection losses in the region of fundamental transitions. The spectral dependence (fragment) of the InP absorption coefficient is determined. The error is estimated. It is proposed to use АЛ115В with an InP (Ag) light filter in order to narrow the spectral band of radiation from 53 nm to 34 nm.

 Арсенид галлия фосфид индия светофильтр спектральная полоса СИД аппроксимация gallium arsenide indium phosphide light filter LED spectral band approximation

Москвичев, А. В. Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью : специальность 01.04.07 : автореф. дис. … канд. ф-м наук / Андрей Викторович Москвичев. - Воронеж, 2002. - 12 с. Moskvichev, A. V. Effekty infrakrasnogo gasheniya i sensibilizacii sobstvennoy fotoprovodimosti v fosfidah galliya i indiya, legirovannyh med'yu : special'nost' 01.04.07 : avtoref. dis. … kand. f-m nauk / Andrey Viktorovich Moskvichev. - Voronezh, 2002. - 12 s. Макаренко, Ф. В. Моделирование релаксации дополнительного пика фотопроводимости InP:Cu/ Ф. В. Макаренко, А. А. Кожевников, В. А. Мельник // «Информационные технологии» : сборник материалов Международной научной конференции, посвящённой 15-летнему юбилею Международного института компьютерных технологий. - Воронеж, 2007. - С.58-66. Makarenko, F. V. Modelirovanie relaksacii dopolnitel'nogo pika fotoprovodimosti InP:Cu/ F. V. Makarenko, A. A. Kozhevnikov, V. A. Mel'nik // «Informacionnye tehnologii» : sbornik materialov Mezhdunarodnoy nauchnoy konferencii, posvyaschennoy 15-letnemu yubileyu Mezhdunarodnogo instituta komp'yuternyh tehnologiy. - Voronezh, 2007. - S.58-66. Влияние примесного излучения на собственную фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью / В. А. Мельник, Н. Н. Прибылов, Ф. В. Макаренко, С. И. Рембеза // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды X международной конференции. - Ульяновск: УлГУ, 2008 - С. 52. Vliyanie primesnogo izlucheniya na sobstvennuyu fotoprovodimost' fosfida indiya, kompensirovannogo med'yu / V. A. Mel'nik, N. N. Pribylov, F. V. Makarenko, S. I. Rembeza // Opto-, nanoelektronika, nanotehnologii i mikrosistemy: trudy X mezhdunarodnoy konferencii. - Ul'yanovsk: UlGU, 2008 - S. 52. Кожевников, А. А. Автоматизация комплекса СДЛ-2 / А. А. Кожевников, Н. Н. Прибылов, Ф. В. Макаренко // Твердотельная электроника и микроэлектроника // межвузовский сборник научных трудов. - Воронеж, 2005. -С.19-22. Kozhevnikov, A. A. Avtomatizaciya kompleksa SDL-2 / A. A. Kozhevnikov, N. N. Pribylov, F. V. Makarenko // Tverdotel'naya elektronika i mikroelektronika // mezhvuzovskiy sbornik nauchnyh trudov. - Voronezh, 2005. -S.19-22. Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в высокоомном фосфиде индия с примесями Сu и Fe : специальность 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» : дисс. … канд. ф.-м. наук / Макаренко Филипп Владимирович. -Воронеж, 2008. - 159 с. Makarenko, F. V. Osobennosti spektrov sobstvennoy fotoprovodimosti v vysokoomnom fosfide indiya s primesyami Su i Fe : special'nost' 01.04.07 «Fizika kondensirovannogo sostoyaniya» : diss. … kand. f.-m. nauk / Makarenko Filipp Vladimirovich. -Voronezh, 2008. - 159 s. ГОСТ 26148-84. Фотометрия. Термины и определения. - М. : Стандартинформ, 1984. - 35 с. GOST 26148-84. Fotometriya. Terminy i opredeleniya. - M. : Standartinform, 1984. - 35 s. Модель показателя преломления эпитаксиальных слоёв InP и InGaAsP/ А. В. Никонов, Н. М. Куляхтина, К. О. Болтарь., Н. И. Яковлева // Прикладная физика. - 2015. - № 1. -С. 83-86. Model' pokazatelya prelomleniya epitaksial'nyh sloev InP i InGaAsP/ A. V. Nikonov, N. M. Kulyahtina, K. O. Boltar'., N. I. Yakovleva // Prikladnaya fizika. - 2015. - № 1. -S. 83-86. Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов. - М.: Наука, 1977. - 184 с. Uhanov, Yu. I. Opticheskie svoystva poluprovodnikov / Yu. I. Uhanov. - M.: Nauka, 1977. - 184 s. Лоткова, Э. И. Электрические и оптические свойства полупроводников / Э. И. Лоткова // Труды ФИАН.- 1966. - Т. 37. - С. 118. Lotkova, E. I. Elektricheskie i opticheskie svoystva poluprovodnikov / E. I. Lotkova // Trudy FIAN.- 1966. - T. 37. - S. 118. Влияние температуры на спектр фотопроводимости фосфида индия, компенсированного медью / Ф. В. Макаренко, Н. Н. Прибылов, С. И. Рембеза, В. А. Мельник // Твердотельная электроника и микроэлектроника : межвузовский сборник научных трудов. -Воронеж: ВГТУ, 2007. - С.55-59. Vliyanie temperatury na spektr fotoprovodimosti fosfida indiya, kompensirovannogo med'yu / F. V. Makarenko, N. N. Pribylov, S. I. Rembeza, V. A. Mel'nik // Tverdotel'naya elektronika i mikroelektronika : mezhvuzovskiy sbornik nauchnyh trudov. -Voronezh: VGTU, 2007. - S.55-59. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. -М. : Мир, 1984. -Кн. 2. - 341 с. Zi, S. Fizika poluprovodnikovyh priborov / S. Zi. -M. : Mir, 1984. -Kn. 2. - 341 s. Основы оптоэлектроники / Я. Суэмацу, С. Катаока, К. Кисино, Я. Кокубун, Т. Судзуки, О. Исии, С. Ёнэдзава - М. : Мир, 1988.- 89 с. Osnovy optoelektroniki / Ya. Suemacu, S. Kataoka, K. Kisino, Ya. Kokubun, T. Sudzuki, O. Isii, S. Enedzava - M. : Mir, 1988.- 89 s.