Авторами работ [1] рентгенографическим методом исследований теллуриды редкоземельных металлов. В работе [2] изучены диаграммы состояния системы Ln2Te3-PbTe (Ln = Gd, Tb, Dy,Ho,Er,Tm). Но не изучена система Sm2Te3-PbTe.            Целью настоящей работы является изучение взаимодействия бинарных компонентов в системе Sm2Te3- PbTe.            С целью изучения взаимодействия между PbTe и Sm2Te3синтезировали 24 образца из соответствующих элементов. В качестве исходных веществ использовали свинец марки В3000, теллур чистотой 99,999% и самарий, содержащий не более 0,15% примесей. Образцы синтезировали в вакуумированных до 0,133 Па кварцевых ампулах с применением метода вибрационного перемешивания. Ампулы нагревали до 1275 К и выдерживали при этой температуре 4 часа, затем температура поднималась до 1475 К с последующей выдержкой в течение 4 часов и медленно охлаждали с двухчасовой выдержкой при 1125 и 1025 К. Для достижения равновесия в системе PbTe-Sm2Te3 все образцы были поставлены на гомогенизирующий отжиг в течение 500 часов при 875 – 925 К.            Взаимодействие в системе Sm2Te3- PbTe изучали методом дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), микроструктурного (МСА) анализов, а также измерением микротвердости, определением плотности и их разреза основания. Впервые была построена диаграмма состояния разреза Sm2Te3- PbTe (рис. 1.) Рис. 1. Диаграмма состояния системы S3m2Te3- PbTe Из рис. 1 видно, что диаграмма состояния системы Sm2Te3- PbTe состоит из двух сравнительно простых диаграмм, первая из которых является эвтектической, а во второй Sm2Te3- PbTe компоненты образуют перитектическое соединение и ограниченные твердые растворы на основе PbTe. В системе Sm2Te3- PbTe образуются два химических соединения состава Sm2PbTe4 и Sm2Pb4Te7 и α-твердые растворы на основе PbTe. Из них Sm2PbTe4 плавится при 1260К конгруэнтно, а Sm2Pb4Te7 образуется по перитектической реакции при 1135К.  Sm2PbTe4+Ж→ Sm2Pb4Te7 Методами физико-химического анализа установлено, что соединение имеет узкую область гомогенности, а твердые растворы достигают ~7 моль% при 1090 К. Микроструктуры исследования и определения микротвердости сплавов системы Sm2Te3- PbTe подтверждают результаты ДТА и РФА. Микроструктуры соединений Sm2PbTe4 и Sm2Pb4Te7 и образцы из области твердых растворов однофазны. Состав полученных соединений подтвержден химическим анализом Таблица 1Результаты химического анализа теллуроплюмбатов самарияСоединениеSm% массPb% массTe% массэксп.теор.эксп.теор.эксп.теор.Sm2PbTe429,5829,5520,3720,3550,2150,18Sm2Pb4Te714,9014,8741,0040,9744,1844,16 На ректогенограммах сплавов состава Sm2Te3- PbTe и Sm2Te3·4 PbTe зафиксированы некоторые новые линии, отсутствующие на рентгенограмм бинарных компонентов Sm2Te3· PbTe и отличающиеся от линии рентгенограмм бинарных компонентов Sm2Te3 и PbTe, а межплоскостные расстояния и интенсивность линии рентгенограмм фаз Sm2Te3·5,6PbTe и PbT при 790-925К указывают на их идентичность (рис.2).            Рис. 2. Системы рентгенограмм некоторых образцов системы:1.Sm2Te3; 2. Sm2Te3PbTe;3. Sm2Te34PbTe; 4.Sm2Te3·5,6PbTe; 5. PbTeВ рядуSm2Te3→ Sm2PbTe4→ Sm2Pb4Te7 микротвердость образцов уменьшается, а плотность увеличивается. Теллуроплюбаты самария на воздухе не подвергаются изменению, во влажном воздухе гидролизуются с выделением теллуроводорода. Они хорошо реагируют с минеральными кислотами, а их реакция щелочами происходит медленно. Органические растворители на них не действуют.             Рис. 3. Температурные зависимости электропроводности.1. Sm2Te3PbTe;2. Sm2Te34PbTe;3.Sm2Te3·5,6PbTe  Измерение электрофизических свойств сплавов Sm2PbTe4, Sm2Pb4Te7 и Sm2Te3·5,6 PbTe проводилось в температурном интервале 300÷1200К, компенсационным методом (рис. 3). Sm2PbTe4 является n, а Sm2Pb4Te7 и Sm2Te3·5,6PbTeр типом полупроводников, а ширина их запрещенной зоны 0,63; 0,72; 0,78 эВ соответственно. ВыводыВпервые построена диаграмма состояния разреза Sm2Te3- PbTe, тройной системы Sm-Pb-Te. Установлено, что в разрезе Sm2Te3- PbTe образуются химические соединения составов Sm2PbTe4, а Sm2Pb4Te7 и узкая область твердых растворов на основе PbTe.Полученные соединения обладают полупроводниковыми свойствами n и p типов и могут быть использованы в качестве термопереключателей низкотемпературных электрических генераторов.