Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 55623 10.12737/2219-0767-2022-15-4-106-115 Физико-математические науки Физико-математические науки Modeling of processes in semiconductor structures under radiation exposure Моделирование процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии Зольников Константин Владимирович Zolnikov Konstantin Vladimirovich Гамзатов Нариман Гамзевич Gamzatov N. G. Евдокимова Светлана Анатольевна Evdokimova Svetlana Anatol'evna

кандидат технических наук;

candidate of technical sciences;

 Потапов Андрей Николаевич Potapov Andrey Nikolaevich Допира Роман Викторович Dopira Roman Viktorovich Кучеров Юрий Сергеевич Kucherov Yuriy Sergeevich Яночкин Игорь Евгеньевич Yanochkin Igor' Evgen'evich Стоянов Сергей Витальевич Stoyanov Sergey Vital'evich Плотников Алексей Михайлович Plotnikov Aleksey Mihaylovich Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Россия Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Russian Federation АО «Научно-исследовательский институт «Субмикрон» (г. Москва) Москва Россия Scientific research institute «Submicron» Moscow Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Военный учебно-научный центр военно-воздушных сил «Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина» Россия Military educational scientific center air force «Air force academy named after professor N. E. Zhukovsky and Y. A. Gagarin» Russian Federation Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова Россия Military Aerospace Defense Academy named after Marshal of the Soviet Union G.K. Zhukov Russian Federation Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова Россия Military Aerospace Defense Academy named after Marshal of the Soviet Union G.K. Zhukov Russian Federation Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова Россия Military Aerospace Defense Academy named after Marshal of the Soviet Union G.K. Zhukov Russian Federation АО "Росэлектроника" Россия JSC «Ruselectronics» Russian Federation АО "Росэлектроника" Россия АО "Росэлектроника" Russian Federation 13 12 2022 13 12 2022 15 4 106 115 12 12 2022 https://zh-szf.ru/en/nauka/article/55623/view

Радиационное воздействие космического пространства оказывает влияние на радиоэлектронную аппаратуру и изменяются их характеристики. В работе рассматривается моделирование процесса движения дырок, сгенерированных в оксиде, которые вызывают локальную деформацию потенциального поля решетки. Скачки поляронов делают движение дырок дисперсным и сильно зависящим от температуры и толщины оксида. В статье приводятся температурные зависимости сдвига напряжения после единичного импульса излучения. При перемещении дырок к границе Si/SiO2 часть дырок захватывается ловушками. Эффект влияния сечения захвата на увеличение дырок в ловушках заметен в электрической зависимости роста числа оксидных ловушек сразу после облучения. В работе построены графики зависимости сдвига порогового напряжения из-за оксидных ловушек от электрического поля в оксиде. Сразу после своего появления заряд оксидных ловушек начинает нейтрализовываться. Для исследования данного процесса построены временные, температурные и электрические зависимости, показано отношение захваченных электронов к количеству захваченных дырок для технологий сухого и влажного подзатворного оксида при разных толщинах оксида. Таким образом показано влияние температурных и радиационных воздействий на движения дырок и оксидных ловушек в полупроводниковых структурах.

The radiation impact of outer space has an impact on electronic equipment and their characteristics change. The paper considers the simulation of the process of motion of holes generated in the oxide, which cause local deformation of the potential field of the lattice. Jumps of polarons make the motion of holes dispersed and highly dependent on temperature and oxide thickness. The article presents the temperature dependences of the voltage shift after a single radiation pulse. When holes move to the Si/SiO2 interface, some of the holes are captured by traps. The effect of the influence of the capture cross section on the increase in holes in traps is noticeable in the electrical dependence of the increase in the number of oxide traps immediately after irradiation. The graphs of the dependence of the threshold voltage shift due to oxide traps on the electric field in the oxide are plotted in this work. Immediately after its appearance, the charge of oxide traps begins to be neutralized. To study this process, time, temperature, and electrical dependences are plotted, and the ratio of trapped electrons to the number of trapped holes is shown for dry and wet gate oxide technologies at different oxide thicknesses. Thus, the influence of temperature and radiation influences on the motions of holes and oxide traps in semiconductor structures is shown.

 Электронная компонентная база полупроводники радиационное воздействие космического пространства оксидные ловушки моделирование процессов Electronic component base semiconductors outer space radiation impact oxide traps process modeling

Уткин, Д.М. Проектирование функциональных блоков, функционирующих в условиях радиационного воздействия / Д.М. Уткин, В.К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 1. - С. 26-29. Utkin, D.M. Proektirovanie funkcional'nyh blokov, funkcioniruyuschih v usloviyah radiacionnogo vozdeystviya / D.M. Utkin, V.K. Zol'nikov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 1. - S. 26-29. Зольников, В.К. Методика проектирования современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В.К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2012. - № 3. - С. 5-8. Zol'nikov, V.K. Metodika proektirovaniya sovremennoy mikrokomponentnoy bazy s uchetom odinochnyh sobytiy radiacionnogo vozdeystviya / V.K. Zol'nikov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2012. - № 3. - S. 5-8. Исследование воздействия электронов, нейтронов и гамма-квантов на выходные характеристики трёхкаскадных фотоэлектрических преобразователей на основе AIIIBV/GE / М.В. Рябцева, А.С. Петров, Г.С. Воеводкин [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2021. - № 2. - С. 16-22. Issledovanie vozdeystviya elektronov, neytronov i gamma-kvantov na vyhodnye harakteristiki trehkaskadnyh fotoelektricheskih preobrazovateley na osnove AIIIBV/GE / M.V. Ryabceva, A.S. Petrov, G.S. Voevodkin [i dr.] // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2021. - № 2. - S. 16-22. POSS Polyimide Sealed Flexible Triple-Junction GaAs Thin-Film Solar Cells for Space Applications / M. Qian, X. Mao, M. Wu [et al.] // Advanced Materials Technologies. - 2021. - Vol. 6(12). - C. 2100603. - DOI: 10.1002/admt.202100603. POSS Polyimide Sealed Flexible Triple-Junction GaAs Thin-Film Solar Cells for Space Applications / M. Qian, X. Mao, M. Wu [et al.] // Advanced Materials Technologies. - 2021. - Vol. 6(12). - C. 2100603. - DOI: 10.1002/admt.202100603. Мустафаев, Г.А. Распределение заряда в системе AL2O3 - SIO2 при воздействии ионизирующих излучений / Г.А. Мустафаев, А.Г. Мустафаев, Н.В. Черкесова // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. - 2021. - № 13. - С. 329-337. - DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.329. Mustafaev, G.A. Raspredelenie zaryada v sisteme AL2O3 - SIO2 pri vozdeystvii ioniziruyuschih izlucheniy / G.A. Mustafaev, A.G. Mustafaev, N.V. Cherkesova // Fiziko-himicheskie aspekty izucheniya klasterov, nanostruktur i nanomaterialov. - 2021. - № 13. - S. 329-337. - DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.329. Моделирование характеристик субмикронных структур "кремний на изоляторе" с учетом радиационных эффектов / К.А. Насеткин, М.С. Муравьев, Г.М. Алимирзоев [и др.] // Научно-технический вестник Поволжья. - 2019. - № 7. - С. 127-130. Modelirovanie harakteristik submikronnyh struktur "kremniy na izolyatore" s uchetom radiacionnyh effektov / K.A. Nasetkin, M.S. Murav'ev, G.M. Alimirzoev [i dr.] // Nauchno-tehnicheskiy vestnik Povolzh'ya. - 2019. - № 7. - S. 127-130. Soft x-ray detection for small satellites with a commercial CMOS sensor at room temperature / S. Tammes, T. Roth, P. Kaaret // Journal of Astronomical Telescopes, Instruments, and Systems. - 2020. - Vol. 6(4). - C. 046004. - DOI: 10.1117/1.JATIS.6.4.046004. Soft x-ray detection for small satellites with a commercial CMOS sensor at room temperature / S. Tammes, T. Roth, P. Kaaret // Journal of Astronomical Telescopes, Instruments, and Systems. - 2020. - Vol. 6(4). - C. 046004. - DOI: 10.1117/1.JATIS.6.4.046004. Cyclotrons based facilities for single event effects testing of spacecraft electronics / V.S. Anashin, P.A. Chubunov, A.S. Bychkov [et al.] // CYC 2019 - Proceedings of the 22nd International Conference on Cyclotrons and their Applications. - 2020. - Pp. 350-354. - DOI: 10.18429/JACoW-Cyclotrons2019-FRA04. Cyclotrons based facilities for single event effects testing of spacecraft electronics / V.S. Anashin, P.A. Chubunov, A.S. Bychkov [et al.] // CYC 2019 - Proceedings of the 22nd International Conference on Cyclotrons and their Applications. - 2020. - Pp. 350-354. - DOI: 10.18429/JACoW-Cyclotrons2019-FRA04. Modeling and simulating of radiation effects on the performance degradation of GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells induced by different energy protons / J.-W. Li, Z.-J. Wang, C.-Y.Shi [et al.] // Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica. - 2020. - Vol. 69(9). - C. 098802. - DOI: 10.7498/aps.69.20191878. Modeling and simulating of radiation effects on the performance degradation of GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells induced by different energy protons / J.-W. Li, Z.-J. Wang, C.-Y.Shi [et al.] // Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica. - 2020. - Vol. 69(9). - C. 098802. - DOI: 10.7498/aps.69.20191878. Деградация p-канальных МОП-транзисторов при воздействии термоэлектрических нагрузок и ионизирующего излучения / А.С. Петров, К.И. Таперо, М.С. Петров, Г.М. Мосина // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2016. - № 2. - С. 17-20. Degradaciya p-kanal'nyh MOP-tranzistorov pri vozdeystvii termoelektricheskih nagruzok i ioniziruyuschego izlucheniya / A.S. Petrov, K.I. Tapero, M.S. Petrov, G.M. Mosina // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2016. - № 2. - S. 17-20. Ушаков, П.А. Исследование радиационной стойкости микросхем серии ADG4XX к воздействию ионизирующего излучения по эффектам поглощенной дозы / П.А. Ушаков, К.О. Максимов, А.А. Дедюхин // Вестник ИжГТУ имени М.Т. Калашникова. - 2019. - Т. 22, № 4. - С. 73-82. - DOI: 10.22213/2413-1172-2019-4-73-82. Ushakov, P.A. Issledovanie radiacionnoy stoykosti mikroshem serii ADG4XX k vozdeystviyu ioniziruyuschego izlucheniya po effektam pogloschennoy dozy / P.A. Ushakov, K.O. Maksimov, A.A. Dedyuhin // Vestnik IzhGTU imeni M.T. Kalashnikova. - 2019. - T. 22, № 4. - S. 73-82. - DOI: 10.22213/2413-1172-2019-4-73-82. Петров, А.С. Исследование влияния низкоинтенсивного облучения при повышенной температуре на деградацию БИКМОП операционных усилителей / А.С. Петров, К.И. Таперо, В.Н. Улимов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2018. - № 1. - С. 31-34. Petrov, A.S. Issledovanie vliyaniya nizkointensivnogo oblucheniya pri povyshennoy temperature na degradaciyu BIKMOP operacionnyh usiliteley / A.S. Petrov, K.I. Tapero, V.N. Ulimov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2018. - № 1. - S. 31-34. Адаптированная методика оценки радиационной деградации фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения и их каскадов на базе INGAP, INGAAS И GE / Г.С. Воеводкин, М.В. Рябцева, И.В. Бадурин [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2021. - № 3. - С. 5-10. Adaptirovannaya metodika ocenki radiacionnoy degradacii fotoelektricheskih preobrazovateley koncentrirovannogo solnechnogo izlucheniya i ih kaskadov na baze INGAP, INGAAS I GE / G.S. Voevodkin, M.V. Ryabceva, I.V. Badurin [i dr.] // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2021. - № 3. - S. 5-10. Одиночные радиационные эффекты в диодах Шоттки при воздействии тяжелых заряженных частиц / А.С. Ватуев, В.В. Емельянов, В.К. Зольников [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2018. - № 1. - С. 17-23. Odinochnye radiacionnye effekty v diodah Shottki pri vozdeystvii tyazhelyh zaryazhennyh chastic / A.S. Vatuev, V.V. Emel'yanov, V.K. Zol'nikov [i dr.] // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2018. - № 1. - S. 17-23. On improving the radiation resistance of gallium oxide for space applications / D.A. Bauman, A.I. Borodkin, A.A. Petrenko [et al.] // Acta Astronautica. - 2021. - Vol. 180. - Pp. 125-129. - DOI: 10.1016/j.actaastro.2020.12.010. On improving the radiation resistance of gallium oxide for space applications / D.A. Bauman, A.I. Borodkin, A.A. Petrenko [et al.] // Acta Astronautica. - 2021. - Vol. 180. - Pp. 125-129. - DOI: 10.1016/j.actaastro.2020.12.010. Graphene-based reversible metal electrodeposition for dynamic infrared modulation / M. Li, D. Liu, H. Cheng // Journal of Materials Chemistry C. - 2020. -Vol. 8(25). - C. 8538-8545. - DOI: 10.1039/d0tc00244e. Graphene-based reversible metal electrodeposition for dynamic infrared modulation / M. Li, D. Liu, H. Cheng // Journal of Materials Chemistry C. - 2020. -Vol. 8(25). - C. 8538-8545. - DOI: 10.1039/d0tc00244e. Impact of gamma-ray irradiation on dynamic characteristics of Si and SiC power MOSFETs / S. Krishnamurthy, R. Kannan, C.C. Kiong [et al.] // International Journal of Electrical and Computer Engineering. - 2019. - Vol. 9(2). - Pp. 1453-1460. - DOI: 10.11591/ijece.v9i2.pp1453-1460. Impact of gamma-ray irradiation on dynamic characteristics of Si and SiC power MOSFETs / S. Krishnamurthy, R. Kannan, C.C. Kiong [et al.] // International Journal of Electrical and Computer Engineering. - 2019. - Vol. 9(2). - Pp. 1453-1460. - DOI: 10.11591/ijece.v9i2.pp1453-1460. Rodbell, K.P. Low-Energy Protons - Where and Why 'Rare Events' Matter / K.P. Rodbell // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2020. - Vol. 67(7). - C. 9061008. - Pp. 1204-1215. - DOI: 10.1109/TNS.2020.2986642. Rodbell, K.P. Low-Energy Protons - Where and Why 'Rare Events' Matter / K.P. Rodbell // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2020. - Vol. 67(7). - C. 9061008. - Pp. 1204-1215. - DOI: 10.1109/TNS.2020.2986642. Петров, А.С. Радиационно-индуцированная деградация биполярных транзисторов при высокотемпературном гамма-облучении / А.С. Петров, К.И. Таперо, С.К. Труфанов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2020. - № 1. - С. 5-8. Petrov, A.S. Radiacionno-inducirovannaya degradaciya bipolyarnyh tranzistorov pri vysokotemperaturnom gamma-obluchenii / A.S. Petrov, K.I. Tapero, S.K. Trufanov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2020. - № 1. - S. 5-8. Зольников, В.К. Модель оценки параметров надежности технических систем при воздействии радиации и её интеграция в общий маршрут проектирования / В.К. Зольников, Д.М. Уткин // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 1. - С. 30-34. Zol'nikov, V.K. Model' ocenki parametrov nadezhnosti tehnicheskih sistem pri vozdeystvii radiacii i ee integraciya v obschiy marshrut proektirovaniya / V.K. Zol'nikov, D.M. Utkin // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 1. - S. 30-34. Зависимость кинетики радиационного дефектообразования от энергии, поглощенной в Si и Sic, при воздействии быстрых заряженных частиц / В.В. Козловский, А.Э. Васильев, В.В. Емцев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2019. - № 12. - С. 20-24. - DOI: 10.1134/S1028096019120173. Zavisimost' kinetiki radiacionnogo defektoobrazovaniya ot energii, pogloschennoy v Si i Sic, pri vozdeystvii bystryh zaryazhennyh chastic / V.V. Kozlovskiy, A.E. Vasil'ev, V.V. Emcev [i dr.] // Poverhnost'. Rentgenovskie, sinhrotronnye i neytronnye issledovaniya. - 2019. - № 12. - S. 20-24. - DOI: 10.1134/S1028096019120173. Single Event Effect Sensitivity Analysis of SiC Device / Q. Yu, S. Cao, H. Zhang [et al.] // Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology. - 2019. - Vol. 53(10). - Pp. 2114-2119. - DOI: 10.7538/yzk.2019.53.10.2114. Single Event Effect Sensitivity Analysis of SiC Device / Q. Yu, S. Cao, H. Zhang [et al.] // Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology. - 2019. - Vol. 53(10). - Pp. 2114-2119. - DOI: 10.7538/yzk.2019.53.10.2114. Galloway, K.F. Interaction of Radiation with Semiconductor Devices / K.F. Galloway, R.D. Schrimpf // Extreme Environment Electronics. - 2017. - Pp. 79-91. - DOI: 10.1201/b13001-9. Galloway, K.F. Interaction of Radiation with Semiconductor Devices / K.F. Galloway, R.D. Schrimpf // Extreme Environment Electronics. - 2017. - Pp. 79-91. - DOI: 10.1201/b13001-9. Analysis of SEGR in silicon planar gate super-junction power MOSFETS / K. Muthuseenu, H.J. Barnaby, K.B. Bu-Khasan [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2021. - Vol. 68, № 5. - С. 611-616. - DOI: 10.1109/TNS.2021.3053168. Analysis of SEGR in silicon planar gate super-junction power MOSFETS / K. Muthuseenu, H.J. Barnaby, K.B. Bu-Khasan [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2021. - Vol. 68, № 5. - S. 611-616. - DOI: 10.1109/TNS.2021.3053168. Development of Configurable Static Random Access Memory (SRAM) for Space Applications [et al.] / K. Padmapriya, S. Prasad Bondapalli, B.K.S.V.L. Varaprasad // 2021 4th International Conference on Electrical, Computer and Communication Technologies, ICECCT 2021. - 2021. - DOI: 10.1109/ICECCT52121.2021.9616927. Development of Configurable Static Random Access Memory (SRAM) for Space Applications [et al.] / K. Padmapriya, S. Prasad Bondapalli, B.K.S.V.L. Varaprasad // 2021 4th International Conference on Electrical, Computer and Communication Technologies, ICECCT 2021. - 2021. - DOI: 10.1109/ICECCT52121.2021.9616927. Saxena, S. Broadband THz transmission characteristics of common polymers and semiconductors / S. Saxena, S. Bagchi, J.A. Chakera // 2019 Workshop on Recent Advances in Photonics, WRAP 2019. - 2019. - C. 9013711. - DOI: 10.1109/WRAP47485.2019.9013711. Saxena, S. Broadband THz transmission characteristics of common polymers and semiconductors / S. Saxena, S. Bagchi, J.A. Chakera // 2019 Workshop on Recent Advances in Photonics, WRAP 2019. - 2019. - C. 9013711. - DOI: 10.1109/WRAP47485.2019.9013711. Impact of gamma-ray irradiation on dynamic characteristics of Si and SiC power MOSFETs / S. Krishnamurthy, R. Kannan, C.C. Kiong [et al.] // International Journal of Electrical and Computer Engineering. - 2019. - Vol. 9(2). - Pp. 1453-1460. - DOI: 10.11591/ijece.v9i2.pp1453-1460. Impact of gamma-ray irradiation on dynamic characteristics of Si and SiC power MOSFETs / S. Krishnamurthy, R. Kannan, C.C. Kiong [et al.] // International Journal of Electrical and Computer Engineering. - 2019. - Vol. 9(2). - Pp. 1453-1460. - DOI: 10.11591/ijece.v9i2.pp1453-1460. An overview of GaN FET Technology, Reliability, Radiation and Market for future Space Application / M. Carbone, F.J. Pinto Marin, E.P. Lapena [et al.] // 2019 European Space Power Conference, ESPC 2019. - 2019. - C. 8932067. - DOI: 10.1109/ESPC.2019.8932067. An overview of GaN FET Technology, Reliability, Radiation and Market for future Space Application / M. Carbone, F.J. Pinto Marin, E.P. Lapena [et al.] // 2019 European Space Power Conference, ESPC 2019. - 2019. - C. 8932067. - DOI: 10.1109/ESPC.2019.8932067. Материалы на основе твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия для экстремальной электроники: монокристаллы, эпитаксиальные пленки / Г.Д. Кардашова, Г.К. Сафаралиев, С.У. Ризаханова, Д.Ш. Дибиргаджиев // Мониторинг. Наука и технологии. - 2021. - № 2 (48). - С. 76-80. - DOI: 10.25714/MNT.2021.48.010. Materialy na osnove tverdyh rastvorov karbida kremniya s nitridom alyuminiya dlya ekstremal'noy elektroniki: monokristally, epitaksial'nye plenki / G.D. Kardashova, G.K. Safaraliev, S.U. Rizahanova, D.Sh. Dibirgadzhiev // Monitoring. Nauka i tehnologii. - 2021. - № 2 (48). - S. 76-80. - DOI: 10.25714/MNT.2021.48.010. Experimental study on the total ionizing dose effects of nonvolatile RRAM / S. Chang, S. Yang, X. Wen [et al.] // He Jishu/Nuclear Techniques. - 2020. - Vol. 43(12). - C. 120502. - DOI: 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.120502. Experimental study on the total ionizing dose effects of nonvolatile RRAM / S. Chang, S. Yang, X. Wen [et al.] // He Jishu/Nuclear Techniques. - 2020. - Vol. 43(12). - C. 120502. - DOI: 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.120502. Schwartz, M. Assessing the effects of radiation on GaN semiconductors for COTS space applications / M. Schwartz, J.M. Horack, E.K. Newton // Proceedings of the International Astronautical Congress, IAC. - 2019. - Vol. 2019-October. - C. IAC-19_C2_6_3_x51275. Schwartz, M. Assessing the effects of radiation on GaN semiconductors for COTS space applications / M. Schwartz, J.M. Horack, E.K. Newton // Proceedings of the International Astronautical Congress, IAC. - 2019. - Vol. 2019-October. - C. IAC-19_C2_6_3_x51275. Study of radiation resistance property of a- IGZO thin film transistors / G.K. Dayananda, R.C. Shantharama, A. Jayarama, H.J. Kim // 2016 IEEE International Conference on Recent Trends in Electronics, Information and Communication Technology, RTEICT 2016 - Proceedings. - 2017. - C. 7808148. - Pp. 1816-1819. - DOI: 10.1109/RTEICT.2016.7808148. Study of radiation resistance property of a- IGZO thin film transistors / G.K. Dayananda, R.C. Shantharama, A. Jayarama, H.J. Kim // 2016 IEEE International Conference on Recent Trends in Electronics, Information and Communication Technology, RTEICT 2016 - Proceedings. - 2017. - C. 7808148. - Pp. 1816-1819. - DOI: 10.1109/RTEICT.2016.7808148. Single event effect characteristics analysis of typical circuit elements in spacecraft power systems / W. Zhao, C. He, W. Chen [et al.] // International Conference on Nuclear Engineering, Proceedings, ICONE. - 2017. -Vol. 7. - DOI: 10.1115/ICONE25-67728. Single event effect characteristics analysis of typical circuit elements in spacecraft power systems / W. Zhao, C. He, W. Chen [et al.] // International Conference on Nuclear Engineering, Proceedings, ICONE. - 2017. -Vol. 7. - DOI: 10.1115/ICONE25-67728.