<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">55669</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/2219-0767-2022-15-4-136-148</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Физико-математические науки</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Физико-математические науки</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">Development of algorithms and programs for the analysis of electrical characteristics BIS</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Разработка алгоритмов и программ анализа электрических характеристик БИС</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Ягодкин</surname>
       <given-names>Александр Сергеевич</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Yagodkin</surname>
       <given-names>A. Sergeevich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Зольников</surname>
       <given-names>Владимир Константинович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Zolnikov</surname>
       <given-names>V. K.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Скворцова</surname>
       <given-names>Татьяна Владимировна</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Skvortsova</surname>
       <given-names>Tatyana Vladimirovna</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Ачкасов</surname>
       <given-names>Александр Владимирович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Achkasov</surname>
       <given-names>A. Vladimirovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Кузнецов</surname>
       <given-names>Сергей Александрович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Kuznecov</surname>
       <given-names>Sergey Aleksandrovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Макаренко</surname>
       <given-names>Филипп Владимирович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Makarenko</surname>
       <given-names>F. V.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова</institution>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov</institution>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2022-12-13T17:54:51+03:00">
    <day>13</day>
    <month>12</month>
    <year>2022</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2022-12-13T17:54:51+03:00">
    <day>13</day>
    <month>12</month>
    <year>2022</year>
   </pub-date>
   <volume>15</volume>
   <issue>4</issue>
   <fpage>136</fpage>
   <lpage>148</lpage>
   <history>
    <date date-type="received" iso-8601-date="2022-12-12T00:00:00+03:00">
     <day>12</day>
     <month>12</month>
     <year>2022</year>
    </date>
   </history>
   <self-uri xlink:href="https://zh-szf.ru/en/nauka/article/55669/view">https://zh-szf.ru/en/nauka/article/55669/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>Рассмотрены современные математические модели для программ автоматического анализа электрических характеристик интегральных схем. Сформулированы требования к программам анализа. Проведен сравнительный анализ машинных методов расчета интегральных схем с точки зрения их точности, объемов оперативной памяти и времени расчета. Рассмотрены особенности развития современных средств автоматизации проектирования интегральных схем. Одной из основных задач проектирования интегральной схемы является схематический анализ, который необходимо проводить как на предварительном этапе, так и после разработки топологии интегральной схемы. Однако, можно выделить основные требования, которым должна удовлетворять современная программа анализа: надёжность – устойчивый расчёт широкого класса электронных схем, получение решений даже для плохо обусловленных задач; высокое быстродействие – особенно важно это требование при расчёте БИС, в задачах многовариантного анализа, таких, как статистический анализ, и оптимизации; малые затраты машинной памяти и расширение предельно допустимой сложности анализируемых схем; гибкость, возможность внесение изменений в программу, в частности, замена математических моделей компонентов схемы, введение новых моделей, усовершенствование вычислительного алгоритма, включения программы в состав более сложных программ и т.д.; наличие удобного ввода и вывода исходной информации.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>Modern mathematical models for automatic analysis of electrical characteristics of integrated circuits are considered. The requirements for the analysis programs are formulated. A comparative analysis of machine methods for calculating integrated circuits is carried out in terms of their accuracy, RAM volumes and calculation time. The features of the development of modern automation tools for designing integrated circuits are considered. One of the main tasks of designing an integrated circuit is a schematic analysis, which must be carried out both at the preliminary stage and after the development of the integrated circuit topology. However, it is possible to identify the main re-quirements that a modern analysis program must meet: reliability - stable calculation of a wide class of electronic circuits, obtaining solutions even for poorly conditioned tasks; high performance - this requirement is especially important when calculating BIS, in tasks of multivariate analysis, such as statistical analysis, and optimization; low costs of machine memory and expansion of the maximum permissible complexity of the analyzed circuits; flexibility, the possibility of making changes to the program, in particular, the replacement of mathematical models of circuit components, the introduction of new models, the improvement of the computational algorithm, the inclusion of the pro-gram in more complex programs, etc.; the availability of convenient input and output of initial information.</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>Интегральная схема</kwd>
    <kwd>детерминированные модели</kwd>
    <kwd>БИС</kwd>
    <kwd>машинный метод анализа</kwd>
    <kwd>метод диакоптики</kwd>
    <kwd>процессы моделирования и проектирования</kwd>
    <kwd>метод Гаусса.</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>Integrated circuit</kwd>
    <kwd>deterministic models</kwd>
    <kwd>BIS</kwd>
    <kwd>machine analysis method</kwd>
    <kwd>diacoptics method</kwd>
    <kwd>modeling and design processes</kwd>
    <kwd>Gauss method</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p></p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Кононов, В.С. Повышение стойкости КМОП-КНИ-АЦП к воздействию тяжелых заряженных частиц космического происхождения / В.С. Кононов, А.В. Шунулин // Теория и техника радиосвязи. - 2017. - № 2. - С. 48-58.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kononov, V.S. Povyshenie stoykosti KMOP-KNI-ACP k vozdeystviyu tyazhelyh zaryazhennyh chastic kosmicheskogo proishozhdeniya / V.S. Kononov, A.V. Shunulin // Teoriya i tehnika radiosvyazi. - 2017. - № 2. - S. 48-58.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Согоян, А.В. Оценка соответствия интегральных схем требованиям по стойкости к воздействию тяжелых заряженных частиц / А.В. Согоян, А.А. Смолин, А.И. Чумаков // Безопасность информационных технологий. - 2020. - Т. 27, № 1. - С. 68-82. -. DOI: 10.26583/bit.2020.1.06.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Sogoyan, A.V. Ocenka sootvetstviya integral'nyh shem trebovaniyam po stoykosti k vozdeystviyu tyazhelyh zaryazhennyh chastic / A.V. Sogoyan, A.A. Smolin, A.I. Chumakov // Bezopasnost' informacionnyh tehnologiy. - 2020. - T. 27, № 1. - S. 68-82. -. DOI: 10.26583/bit.2020.1.06.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Богданов, Д.С. Радиационная стойкость радиоэлектронного устройства в условиях космического пространства / Д.С. Богданов, И.А. Богданова, А.Н. Волныкин // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2019. - № 70. - С. 107-117. -. DOI: 10.21667/1995-4565-2019-70-107-117.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Bogdanov, D.S. Radiacionnaya stoykost' radioelektronnogo ustroystva v usloviyah kosmicheskogo prostranstva / D.S. Bogdanov, I.A. Bogdanova, A.N. Volnykin // Vestnik Ryazanskogo gosudarstvennogo radiotehnicheskogo universiteta. - 2019. - № 70. - S. 107-117. -. DOI: 10.21667/1995-4565-2019-70-107-117.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Петров, А.С. Исследование влияния низкоинтенсивного облучения при повышенной температуре на деградацию БиКМОП операционных усилителей / А.С. Петров, К.И. Таперо, В.Н. Улимов // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2018. - № 1. - С. 31-34.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Petrov, A.S. Issledovanie vliyaniya nizkointensivnogo oblucheniya pri povyshennoy temperature na degradaciyu BiKMOP operacionnyh usiliteley / A.S. Petrov, K.I. Tapero, V.N. Ulimov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Ser.: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2018. - № 1. - S. 31-34.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B5">
    <label>5.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">True dose rate physical mechanism of ELDRS effect in bipolar devices / V.S. Pershenkov, A.S. Bakerenkov, V.A. Felytsyn [et al.] // Microelectronics Reliability. - 2017. - Т. 76-77. - С. 703-707. - DOI: 10.1016/j.microrel.2017.07.025.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">True dose rate physical mechanism of ELDRS effect in bipolar devices / V.S. Pershenkov, A.S. Bakerenkov, V.A. Felytsyn [et al.] // Microelectronics Reliability. - 2017. - T. 76-77. - S. 703-707. - DOI: 10.1016/j.microrel.2017.07.025.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B6">
    <label>6.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Дементьев, А.Н. Разработка методов помехозащищенности радиотехнических систем путем реализации технологии индивидуального отбора и квалификации радиационно-стойкой электронной компонентной базы на этапе ее производства / А.Н. Дементьев // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2018. - Т. 21, № 3. - С. 129-137</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Dement'ev, A.N. Razrabotka metodov pomehozaschischennosti radiotehnicheskih sistem putem realizacii tehnologii individual'nogo otbora i kvalifikacii radiacionno-stoykoy elektronnoy komponentnoy bazy na etape ee proizvodstva / A.N. Dement'ev // Fizika volnovyh processov i radiotehnicheskie sistemy. - 2018. - T. 21, № 3. - S. 129-137</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B7">
    <label>7.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Тиняев, В.А. Анализ эффективности методов снижения энергопотребления цифровых СБИС / В.А. Тиняев, Х.М. Эль-Хажж // Нано- и микросистемная техника. - 2020. - Т. 22, № 1. - С. 39-45. - DOI: 10.17587/nmst.22.39-45.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Tinyaev, V.A. Analiz effektivnosti metodov snizheniya energopotrebleniya cifrovyh SBIS / V.A. Tinyaev, H.M. El'-Hazhzh // Nano- i mikrosistemnaya tehnika. - 2020. - T. 22, № 1. - S. 39-45. - DOI: 10.17587/nmst.22.39-45.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B8">
    <label>8.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Романенко, А.А. Влияние ионизирующего излучения низкой интенсивности на биполярные изделия электронной техники / А.А. Романенко // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2002. - № 4. - С. 121-132.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Romanenko, A.A. Vliyanie ioniziruyuschego izlucheniya nizkoy intensivnosti na bipolyarnye izdeliya elektronnoy tehniki / A.A. Romanenko // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Ser.: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2002. - № 4. - S. 121-132.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B9">
    <label>9.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Таперо, К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: монография / К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. - 304 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Tapero, K.I. Radiacionnye effekty v kremnievyh integral'nyh shemah kosmicheskogo primeneniya: monografiya / K.I. Tapero, V.N. Ulimov, A.M. Chlenov. - M.: BINOM. Laboratoriya znaniy, 2012. - 304 s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B10">
    <label>10.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">High-performance RF Power Amplifier Module using Optimum Chip-level Packaging Structure / H. Nam, J. Kim, J. Jeon [et al.] // IEEE Transactions on Industrial Electronics. - 2021. - Vol. 69, № 6. - Pp. 5660-5668. -. DOI: 10.1109/TIE.2021.3088328.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">High-performance RF Power Amplifier Module using Optimum Chip-level Packaging Structure / H. Nam, J. Kim, J. Jeon [et al.] // IEEE Transactions on Industrial Electronics. - 2021. - Vol. 69, № 6. - Pp. 5660-5668. -. DOI: 10.1109/TIE.2021.3088328.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B11">
    <label>11.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Bae, Y. A programmable impedance tuner with a high resolution using a 0.18-um CMOS SOI process for improved linearity / Y. Bae, H. Jhon, J. Kim // Electronics. - 2020. - Vol. 9(1). - C. 7. - DOI: 10.3390/electronics9010007.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Bae, Y. A programmable impedance tuner with a high resolution using a 0.18-um CMOS SOI process for improved linearity / Y. Bae, H. Jhon, J. Kim // Electronics. - 2020. - Vol. 9(1). - C. 7. - DOI: 10.3390/electronics9010007.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B12">
    <label>12.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Quinacridone-quinoxaline-based copolymer for organic field-effect transistors and its high-voltage logic circuit operations / J. Jeon, H. Jhon, M. Kang [et al.] // Organic Electronics. - 2018. - Vol. 56, № 2. - Pp. 1-4. -DOI: 10.1016/j.orgel.2018.01.019.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Quinacridone-quinoxaline-based copolymer for organic field-effect transistors and its high-voltage logic circuit operations / J. Jeon, H. Jhon, M. Kang [et al.] // Organic Electronics. - 2018. - Vol. 56, № 2. - Pp. 1-4. -DOI: 10.1016/j.orgel.2018.01.019.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B13">
    <label>13.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Vahidian, S. Personalized federated learning by structured and unstructured pruning under data heterogeneity / S. Vahidian, M. Morafah, B. Lin // Proceedings - 2021 IEEE 41st International Conference on Distributed Computing Systems Workshops, ICDCSW 2021. - 2021. - Pp. 27-34. -DOI: 10.1109/ICDCSW53096.2021.00012.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Vahidian, S. Personalized federated learning by structured and unstructured pruning under data heterogeneity / S. Vahidian, M. Morafah, B. Lin // Proceedings - 2021 IEEE 41st International Conference on Distributed Computing Systems Workshops, ICDCSW 2021. - 2021. - Pp. 27-34. -DOI: 10.1109/ICDCSW53096.2021.00012.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B14">
    <label>14.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">MEMTONIC: A Neuromorphic Accelerator for Energy Efficient Deep Learning / D. Dang, S. Taheri, B. Lin, D. Sahoo // 2020 57th ACM/IEEE Design Automation Conference (DAC). - 2020. - Pp. 1-2. -DOI: 10.1109/DAC18072.2020.9218560.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">MEMTONIC: A Neuromorphic Accelerator for Energy Efficient Deep Learning / D. Dang, S. Taheri, B. Lin, D. Sahoo // 2020 57th ACM/IEEE Design Automation Conference (DAC). - 2020. - Pp. 1-2. -DOI: 10.1109/DAC18072.2020.9218560.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B15">
    <label>15.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Baraniuk, R. Simplification of the model of piezoelectric actuator control based on preliminary measurements / R. Baraniuk, W.-G. Drossel // Actuators. - 2020. - Vol. 9(3). - C. 90. - DOI: 10.3390/act9030090.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Baraniuk, R. Simplification of the model of piezoelectric actuator control based on preliminary measurements / R. Baraniuk, W.-G. Drossel // Actuators. - 2020. - Vol. 9(3). - C. 90. - DOI: 10.3390/act9030090.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B16">
    <label>16.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Impact of elevated temperature applied during low dose rate irradiation on the degradation of BICMOS operational amplifiers / A.S. Petrov, K.I. Tapero, V.N. Ulimov, A.M. Chlenov // Microelectronics Reliability. - 2018. - Т. 88-90. - С. 961-964. - DOI: 10.1016/j.microrel.2018.07.081.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Impact of elevated temperature applied during low dose rate irradiation on the degradation of BICMOS operational amplifiers / A.S. Petrov, K.I. Tapero, V.N. Ulimov, A.M. Chlenov // Microelectronics Reliability. - 2018. - T. 88-90. - S. 961-964. - DOI: 10.1016/j.microrel.2018.07.081.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B17">
    <label>17.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Kurapov, S.V. Generating a topological drawing of the flat part of a nonplanar graph / S.V. Kurapov, M.V. Davidovsky, A.V. Tolok // Scientific Visualization. - 2020. - Т. 12, № 1. - С. 90-102. - DOI: 10.26583/sv.12.1.08.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kurapov, S.V. Generating a topological drawing of the flat part of a nonplanar graph / S.V. Kurapov, M.V. Davidovsky, A.V. Tolok // Scientific Visualization. - 2020. - T. 12, № 1. - S. 90-102. - DOI: 10.26583/sv.12.1.08.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B18">
    <label>18.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Carlet, C. A larger class of cryptographic Boolean functions via a study of the Maiorana-McFarland construction / C. Carlet // Annual International Cryptology Conference. - 2002. - 549 p.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Carlet, C. A larger class of cryptographic Boolean functions via a study of the Maiorana-McFarland construction / C. Carlet // Annual International Cryptology Conference. - 2002. - 549 p.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B19">
    <label>19.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Синицын, В.А. Унификация программного обеспечения аппаратно-программных устройств современных радиоэлектронных систем / В.А. Синицын, Е.А. Синицын // Инновационные технологии и технические средства специального назначения : сборник трудов четырнадцатой общероссийской научно-практической конференции. В 2-х томах. Сер. «Библиотека журнала &quot;Военмех. Вестник БГТУ»». - Санкт-Петербург, 2022. - Т. 1. - С. 194-198.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Sinicyn, V.A. Unifikaciya programmnogo obespecheniya apparatno-programmnyh ustroystv sovremennyh radioelektronnyh sistem / V.A. Sinicyn, E.A. Sinicyn // Innovacionnye tehnologii i tehnicheskie sredstva special'nogo naznacheniya : sbornik trudov chetyrnadcatoy obscherossiyskoy nauchno-prakticheskoy konferencii. V 2-h tomah. Ser. «Biblioteka zhurnala &quot;Voenmeh. Vestnik BGTU»». - Sankt-Peterburg, 2022. - T. 1. - S. 194-198.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B20">
    <label>20.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Zhang, W.G. Improving the lower bound on the maximum nonlinearity of 1-resilient Boolean functions and designing functions satisfying all cryptographic criteria / W.G. Zhang, P. Enes // Information Sciences. - 2017. - Vol. 376. - C. 21. - DOI: 10.1016/j.ins.2016.10.001.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zhang, W.G. Improving the lower bound on the maximum nonlinearity of 1-resilient Boolean functions and designing functions satisfying all cryptographic criteria / W.G. Zhang, P. Enes // Information Sciences. - 2017. - Vol. 376. - C. 21. - DOI: 10.1016/j.ins.2016.10.001.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B21">
    <label>21.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Исследование надежности резисторов в условиях воздействия ионизирующего излучения / А.С. Ишков, А.С. Петров, Г.А. Солодимова, Д.В. Егоров // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. - 2020. - № 1 (31). - С. 35-42. - DOI: 10.21685/2307-5538-2020-1-5.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Issledovanie nadezhnosti rezistorov v usloviyah vozdeystviya ioniziruyuschego izlucheniya / A.S. Ishkov, A.S. Petrov, G.A. Solodimova, D.V. Egorov // Izmerenie. Monitoring. Upravlenie. Kontrol'. - 2020. - № 1 (31). - S. 35-42. - DOI: 10.21685/2307-5538-2020-1-5.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B22">
    <label>22.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Петров, А.С. Радиационно-индуцированная деградация биполярных транзисторов при высокотемпературном гамма-облучении / А.С. Петров, К.И. Таперо, С.К. Труфанов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2020. - № 1. - С. 5-8.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Petrov, A.S. Radiacionno-inducirovannaya degradaciya bipolyarnyh tranzistorov pri vysokotemperaturnom gamma-obluchenii / A.S. Petrov, K.I. Tapero, S.K. Trufanov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2020. - № 1. - S. 5-8.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B23">
    <label>23.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Черников, Б.В. Критерии и методы размещения элементов для проектирования БИС / Б.В. Черников, А.В. Можжухина, Е.А. Черникова // Технологии разработки информационных систем ТРИС-2020 : сборник Материалы X Международной научно-технической конференции. - Ростов-на-Дону, 2020. - С. 12-17.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Chernikov, B.V. Kriterii i metody razmescheniya elementov dlya proektirovaniya BIS / B.V. Chernikov, A.V. Mozhzhuhina, E.A. Chernikova // Tehnologii razrabotki informacionnyh sistem TRIS-2020 : sbornik Materialy X Mezhdunarodnoy nauchno-tehnicheskoy konferencii. - Rostov-na-Donu, 2020. - S. 12-17.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B24">
    <label>24.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Исследование методов формализованного представления топологии и микроархитектуры интегральных микросхем / К.В. Сазонов, Д.А. Тавалинский, И.В. Абашева, Д.А. Хапилина // Информационно-измерительные и управляющие системы. - 2020. - Т. 18, № 3. - С. 69-76. - DOI: 10.18127/j20700814-202003-08.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Issledovanie metodov formalizovannogo predstavleniya topologii i mikroarhitektury integral'nyh mikroshem / K.V. Sazonov, D.A. Tavalinskiy, I.V. Abasheva, D.A. Hapilina // Informacionno-izmeritel'nye i upravlyayuschie sistemy. - 2020. - T. 18, № 3. - S. 69-76. - DOI: 10.18127/j20700814-202003-08.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B25">
    <label>25.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Radiation effect on the polymer-based capacitive relative humidity sensors / I.V. Shchemerov, S.A. Legotin, P.B. Lagov [et al.] // Nuclear Engineering and Technology. -2022. - DOI: 10.1016/j.net.2022.02.027.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Radiation effect on the polymer-based capacitive relative humidity sensors / I.V. Shchemerov, S.A. Legotin, P.B. Lagov [et al.] // Nuclear Engineering and Technology. -2022. - DOI: 10.1016/j.net.2022.02.027.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B26">
    <label>26.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Радиационно-ориентированное проектирование СВЧ функциональных блоков приемопередающих БИС на основе гетероструктурных биполярных транзисторов / Н.А. Усачев,  Д.И. Сотсков, В.В. Елесин [и др.] // Наноиндустрия. - 2019. - № S (89). - С. 427-429. - DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.427.429.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Radiacionno-orientirovannoe proektirovanie SVCh funkcional'nyh blokov priemoperedayuschih BIS na osnove geterostrukturnyh bipolyarnyh tranzistorov / N.A. Usachev, D.I.Sotskov , V.V.Elesin [i dr.] // Nanoindustriya. - 2019. - № S (89). - S. 427-429. - DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.427.429.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
