Рассматривается технология моделирования полевого транзистора в системе САПР COMSOL Multiphysics. Изучаются возможности САПР, ее способы графического построения модели и способы моделирования поведения модели. Рассматривается объект исследования МОП-транзистор, его область применения, работа и математическая модель, которая может быть использована в проектировании его работы. Определяется модель Шихмана – Ходжеса, входные и выходные параметры, задается степень ее адекватности реальному транзистору, определяются основные параметры, с помощью которых можно провести исследование полевого транзистора, его воль-амперная характеристика. Строится модель транзистора при режиме работы в режиме малосигнальных усилителей, замена на модель линейного четырехполюсника, описывается, когда данная модель может быть применена при моделировании работы устройства. В САПР COMSOL Multiphysics выполняется моделирование MOSFET-транзистора, построенного по технологии металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор, задаются начальные данные, определяется исходное напряжение, уровень легирования среды и выполняется оценка полученных результатов.
The technology of modeling a field-effect transistor in the CAD system COMSOL Multiphysics is considered. The possibilities of CAD, its methods of graphical construction of the model and methods of modeling the behavior of the model are being studied. The object of study is the MOS transistor, its scope, operation and a mathematical model that can be used in designing its operation. The Shikhman-Hodges model, input and output parameters are determined, the degree of its adequacy to a real transistor is set, the main parameters are determined, with the help of which it is possible to conduct a study of a field-effect transistor, its current-voltage characteristic. A transistor model is built in the mode of operation in the mode of small-signal amplifiers, replacing it with a linear four-port model, it is described when this model can be applied when simulating the operation of the device.