Проблема современных эколого-ресурсосберегающих технологий в лесохозяйственной лесозаготовительной и сельскохозяйственной области связана с устройствами контроля состояния таких сложных систем как системы лесного и сельского хозяйства. Такой мониторинг удобно вести с помощью полупроводниковых датчиков, поскольку информация в них хранится в доступном для компьютера виде. Однако в естественных условиях датчики будут подвергаться воздействию окружающей среды и поэтому актуальным становится определение критериев стойкости полупроводниковых приборов, отражающие качество функционирования последних. Критерием стойкости объекта испытания, например, на полупроводниковую элементную базу является качество функционирования: а – нормальное функционирование; в – временное ухудшение или потеря функции, или работоспособности с самовосстановлением; с – временное ухудшение или потеря функции, или работоспособности, которые требуют вмешательства оператора или перезапуска системы; d – ухудшение или потеря функции, которая не может быть восстановлена из-за повреждения оборудования (компонентов) или программного обеспечения, или потери данных. Методология большинства опубликованных данных о критериальных уровнях соответствует существенно завышенным уровням воздействия на объект испытания. Кроме того, на основе статистической обработки результатов экспериментальных исследований стойкости полупроводниковых приборов к сверхкороткоимульсному полевому воздействию получено эмпирическое соотношение, связывающее дозу энергии воздействующих импульсов с длительностью импульсов, частотой их следования и временем облучения. В работе обоснована необходимость дополнения существующих стандартов по стойкости полупроводниковой элементной базы к наносекундным импульсным помехам более широкой номенклатурой тестовых сигналов с учётом доз облучения и эффектов накопления энергии последовательности импульсов в полупроводниковых приборах.
The problem of modern ecological and resource-saving technologies in forest harvesting and agriculture is associated with the device for status monitoring of such complex systems as a system of forestry and agriculture. Such monitoring is convenient to carry out with semiconductor sensors, because the information in them is stored in a computer accessible form. However, in vivo sensors are exposed to the environment and therefore it is relevant to define criteria for determining the re-sistance of semiconductor devices, reflecting the quality of the functioning of the last ones. Measure of the resistance of test subjects, such as a semiconductor element base is the quality of functioning: a – normal functioning; in temporary impairment or loss of function or performance with automatic reset; c – temporary impairment or loss of function or performance which requires operator inter-vention or system restart; d – the deterioration or loss of function that can not be repaired because of damage to the equipment (components) or software, or loss of data. Methodology of the most of the published data on the levels of criteria corresponds to substantially inflated levels of exposure to the test object. In addition, based on the statistical processing of the results of experimental studies of the resistance of semiconductor devices to ultrashor pulsed field action the empirical relation is got between the dose of impact energy of pulses with pulse duration, repetition rate and the irradiation time. We justify the need to complement of existing standards for resistance semiconductor element base to nanosecond pulse interferences with wider range of test signals, taking into account dose and effects of energy storage of pulse sequence in semiconductor devices.