Modeling of systems and processesModeling of systems and processesМоделирование систем и процессов2219-0767730210.12737/13434Технические наукиТехнические наукиTHE ANALYSIS OF SPECTRUMS OF PHOTOCONDUCTIVITY OF SEMICONDUCTING COMPOUNDS АIIIВVАнализ спектров фотопроводимости полупроводниковых соединений АIIIВVМакаренкоФилипп ВладимировичMakarenkoF. V.СклярВ. А.SklyarV. А.ЗольниковКонстантин ВладимировичZolnikovKonstantin VladimirovichАчкасовАлександр ВладимировичAchkasovA. VladimirovichВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. МорозоваVoronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. MorozovАО "Научно-исследовательский институт электронной техники"РоссияАО "Научно-исследовательский институт электронной техники"Russian FederationВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. МорозоваРоссияVoronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. MorozovRussian Federation0710201507102015821718https://zh-szf.ru/en/nauka/article/7302/view
В статье приводится математический анализ аномальных спектров фотопроводимости высокоомного фосфида индия с примесью меди в области фундаментальных переходов. Аномальное появление дополнительных экстремумов объясняется расслоением рекомбинационного параметра по глубине образца.
In paper the calculus of the abnormal spectrums of photoconductivity in the field of fundamental passages of high-ohmic indium phosphide with an admixture of copper is reduced. The abnormal occurrence of additional extremes speaks a stratification of recombination parameter on depth of a sample
Одной из важнейших и перспективных областей науки является квантовая оптика. Актуальной задачей является исследование электрооптических свойств новых высокочувствительных фотоматериалов. Примером может служить исследование спектров фотопроводимости (ФП) высокоомных полупроводниковых соединений АIIIВV (GaAs, InAs, GaP, InP и др.) с примесями, создающими глубокие уровни в зоне запрещённых энергий. Эти центры способны увеличить время жизни носителей заряда до нескольких секунд. Что позволяет увеличить вклад фотоэлектронов (дырок) в проводимость материала. В данной работе предлагается математический анализ спектров фотопроводимости полупроводниковых соединений АIIIВV с глубокими примесями на примере InP:Cu.
Прибылов, Н. Н. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью [Текст] / Н. Н. Прибылов, В. А. Буслов, С. И. Рембеза, А. И. Спирин, С. А. Сушков // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33. - № 8. - С. 916-920.Pribylov, N. N. Sobstvennaya fotoprovodimost´ fosfida galliya, kompensirovannogo med´yu [Tekst] / N. N. Pribylov, V. A. Buslov, S. I. Rembeza, A. I. Spirin, S. A. Sushkov. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 1999. - T. 33. - № 8. - S. 916-920.Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / Ф. В. Макаренко, Н. Н. Прибылов, С. И. Рембеза, В. А. Мельник // Физика и техника полупроводников. - 2008. - T. 42. - № 5. - С.542-545.Makarenko, F. V. Osobennosti spektrov sobstvennoy fotoprovodimosti v fosfide indiya, kompensirovannom med´yu [Tekst] / F. V. Makarenko, N. N. Pribylov, S. I. Rembeza, V. A. Mel´nik. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2008. - T. 42. - № 5. - S.542-545.Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, легированном железом [Текст] / Ф. В. Макаренко, Н. Н. Прибылов, В. А. Мельник // Вестник Воронежского государственного технического университета. - 2007. - T. 3. - № 11. - С. 137-138Makarenko, F. V. Osobennosti spektrov sobstvennoy fotoprovodimosti v fosfide indiya, legirovannom zhelezom [Tekst] / F. V. Makarenko, N. N. Pribylov, V. A. Mel´nik. Vestnik Voronezhskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta. - 2007. - T. 3. - № 11. - S. 137-138Лашкарев, В. И. Неравновесные процессы в фотопроводниках [Текст] / В. И. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман. - Киев : «Наукова думка», 1981. - 264с.Lashkarev, V. I. Neravnovesnye protsessy v fotoprovodnikakh [Tekst] / V. I. Lashkarev, A. V. Lyubchenko, M. K. Sheynkman. - Kiev : «Naukova dumka», 1981. - 264s.Кустов, В. Г. Спектральная фоточувствительность неоднородных полупроводников [Текст] / В. Г. Кустов, В. П. Орлов, В. А. Преснов, Б. С. Азиков // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т. 4. - № 4. - С. 669-672.Kustov, V. G. Spektral´naya fotochuvstvitel´nost´ neodnorodnykh poluprovodnikov [Tekst] / V. G. Kustov, V. P. Orlov, V. A. Presnov, B. S. Azikov. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 1970. - T. 4. - № 4. - S. 669-672.Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в высокоомном фосфиде индия с примесями Cu и Fe [Текст] : дис.... канд. ф.-м. наук: 01.04.07 / Ф. В. Макаренко. - Воронеж, 2008. - 159 с.Makarenko, F. V. Osobennosti spektrov sobstvennoy fotoprovodimosti v vysokoomnom fosfide indiya s primesyami Cu i Fe [Tekst] : dis.... kand. f.-m. nauk: 01.04.07 / F. V. Makarenko. - Voronezh, 2008. - 159 s.Суэмацу, Я. Основы оптоэлектроники [Текст] / Я. Суэмацу, С. Катаока, К. Кисино, Я. Кокубун, Т. Судзуки, О. Исии, С. Ёнэдзава. - М. : Мир, 1988.- 288 с.Suematsu, Ya. Osnovy optoelektroniki [Tekst] / Ya. Suematsu, S. Kataoka, K. Kisino, Ya. Kokubun, T. Sudzuki, O. Isii, S. Enedzava. - M. : Mir, 1988.- 288 s.