Введение  Совершенствование работы и повышение энергетической эффективности электронных и электротехнических изделий приводит к появлению новых требований как к силовой части объектов управления, так и к их системам управления [1, 2]. Развитие преобразовательной техники и систем управления электронными преобразователями требует наличия современной, надежной, недорогой и доверенной электронной компонентной базы [3, 4]. В связи с уходом с рынка Российской Федерации ряда зарубежных компаний и поставщиков зарубежной электронной компонентной базы требуется замещение этой базы отечественными аналогами с идентичными характеристиками, отвечающих требованиям разработчиков электронной техники. Для изготовления аналогов таких компонентов требуется изучение конструктивно-технологических и схемотехнических вариантов таких изделий, а также адаптация к технологическим возможностям, имеющихся на отечественных предприятиях, т.е. требуется провести реверс-инжиниринг электронных компонентов.Одним из этапов реверс-инжиниринга является исследование и анализ микро- и наноразмерных структур полупроводниковых приборов.Сканирующая электронная микроскопия находит широкое применение для исследования микрообъектов и элементов структур полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [5, 6]. Анализ изображений, полученных с помощью сканирующих электронных микроскопов (SEM), позволяет инженерам-конструкторам и технологам проводить детальные исследования структур и делать выводы об их качестве, наличии дефектов, возможных отклонениях в процессе изготовления. Например, неровность краев металлических шин связана с параметрами фотолитографии и плазменного травления алюминия, структура зерен алюминия зависит от процесса осаждение и вжигания металла, профиль контактных окон может изменяться от способов травления контактов и осаждения металла [7, 8]. Особенно полезными эти данные становятся при сравнении результатов процессов, выполненных на разных установках и с разными по длительности процессами. SEM позволяет изучать микро- и наноразмерные объекты при большем увеличении, значительно превышающим доступное для оптических микроскопов. В сочетании с возможностью поворачивать образец под различными углами, SEM становится незаменимым при исследовании структур, полученных в результате процессов фотолитографии, травления, нанесения и прочих операций [9]. Наличие дополнительной системы энергодисперсионного анализа в сканирующем микроскопе позволяет в дальнейшем оценить качественный и количественный состав материалов в исследуемых образцах.В данной работе использование сканирующей микроскопии преимущественно направлено на анализ структуры полевого транзистора в составе интегральной микросхемы в целях изучения технологии формирования подзатворного диэлектрика и выполнения металлизации для последующего реверс-инжиниринга подобных структур в составе других микросхем.  Материалы, модели, эксперименты и методы Первой задачей SEM являлся анализ сечений (кросс-секций) интегральной микросхемы с транзисторными структурами. Метод получения сечений является разрушающим: в образце тем или иным способом формируется сечение в вертикальной плоскости, которое затем исследуется с помощью SEM. Такой способ позволяет получить наиболее ценную информацию об образце – взаимное расположение различных слоев и их поведение на рельефах предыдущих слоев.Для изготовления и анализа сечений был выполнен скол пластины, со сформированными в ней структурами полевых транзисторов. Пластины «электронного» кремния обладают практически идеальной кристаллической структурой, поэтому при попытке разломать пластину или отдельный кристалл микросхемы, разрушение будет происходить в наиболее слабых кристаллографических плоскостях [10]. При использовании кремниевых пластин с ориентацией поверхности (100), такими плоскостями являются направления (110) (рис. 1). В результате скол можно провести строго горизонтально или вертикально.  Рис. 1. Расположение кристаллографических плоскостей кремниевых пластин [10]Fig. 1. The position of crystallographic planes of silicon wafers [10] После формирования скола пластины получено изображение общего вида сечения длиной 40 мкм (рис. 2). Данное изображение получено с помощью датчика вторичных электронов SE (secondary electrons) при ускоряющем напряжении зонда HV (high voltage) 10 кВ. Увеличение MAG (magnification) составило 1220 раз при рабочем расстоянии WD (working distance) в 15,18 мм. Рабочее расстояние представляет собой расстояние между точкой фокусировки луча зонда и датчиком вторичных электронов. Следовательно, чем меньше рабочее расстояние, тем больше увеличение и качество получаемого изображения, поскольку большее количество вторичных электронов достигнет датчика. Рис. 2. Общий вид исследуемого сечения пластиныFig. 2. A view of the investigated section of the plate Управляя увеличением и фокусным расстоянием сканирующего микроскопа, выявлено подходящее для исследования сечение полевого транзистора с четко различимыми структурами и технологическими слоями металлизации алюминия, окислов, ФСС (рис. 3).Эти изображения представляют собой общий вид сечения полевого транзистора и не являются достаточно информативными для того, чтобы с их помощью можно было измерить толщину подзатворного диэлектрика. Поэтому дополнительно были проведены исследования с большим увеличением (89 000 раз) и большим ускоряющим напряжением зонда (15 кВ), а также было уменьшено до 9,4 мм рабочее расстояние между точкой фокусировки луча зонда и датчиком вторичных электронов. В результате этих исследований были выполнены замеры толщины слоя подзатворного диэлектрика на отрезке длиной 400 нм (рис. 4). Как можно увидеть, толщина подзатворного диэлектрика неравномерная и имеет значение толщины от 37 до 45 нм.Второй задачей стало исследование поверхности кристалла интегральной микросхемы, а именно изучение качества металлизации. Работа по исследованию поверхности простая и выполняется достаточно быстро, но при этом она не дает полной информации о конструктивно-технологических особенностях образца и требуется проводить исследования кристалла под разными углами [11]. В рамках этих исследований поверхности кристаллов были измерены линейные размеры шин металлизации и рассчитаны коэффициенты запыленности металлических пленок.Основное отличие этой задачи от предыдущей состоит в том, что необходимо проводить исследование проводящего материала, а ранее рассматривался непроводящий. Исследование проводящих материалов представляет собой более простую задачу, поскольку они содержат в себе большее количество свободных электронов, нежели непроводящие. В связи с этим сканирующий луч микроскопа выбивает с поверхности проводника большее количество вторичных электронов, а значит соответствующий детектор вторичных электронов получит на свой вход больше информации, нежели при сканировании непроводящего материала [12, 13]. алюминий поликремний пиролитическийокисел ФСС  а) алюминий слой подзатворного диэлектрика оксидный слойполикремний б) Рис. 3. Изображения сечений полевых транзисторов (а, б), сделанные с помощью сканирующего микроскопаFig. 3. Images of cross-sections of field-effect transistors (a, b) taken using a scanning microscope  Рис. 4. Изображение подзатворного диэлектрика с размерамиFig. 4. An image of gate dielectric with dimensions Для измерения ширины шин металлизации образец располагается перпендикулярно относительно сканирующего луча микроскопа. Результаты измерения ширины шин приведены на рис. 5.  Рис. 5. Измерения ширины различных шин металлизации на поверхности пластиныFig. 5. Measurements of the width of various metallization buses on the surface of the plate Для измерения толщины шин металлизации образец располагался под углом 45° относительно сканирующего луча микроскопа. Результаты измерения толщины шин приведены на рис. 6.  Рис. 6. Измерения толщины различных шин металлизации на поверхности пластины Fig. 6. Measurements of the thickness of various metallization buses on the surface of the plate Изображения получены при одинаковых ускоряющих напряжениях зонда сканирующего микроскопа (10 кВ), однако в первом случае было необходимо уменьшить рабочее расстояние (13,3 мм), чтобы получить большее увеличение, составившее 4600 раз. На рис. 5 и 6 отчетливо видна структура слоя алюминия, из которого выполнены шины многоуровневой металлизации. Алюминий имеет неровную, зернистую структуру с перепадами высоты от 1,57 мкм до 1,86 мкм. Также отчетливо наблюдаются впадины, являющиеся контактными областями к элементам полупроводникового кристалла.Вычисление коэффициента запыленности позволяет оценить качество нанесения металлических пленок и, следовательно, произвести контроль качества выпускаемой продукции. Коэффициент запыленности представляет собой отношение наименьшей толщины металлической пленки на изгибе к средней толщине металлической пленки (рис. 7). Для того чтобы изделие отвечало требованиям качества, необходимо иметь коэффициент запыленности не менее 0,5.  Рис. 7. Схематическое изображение для определения коэффициента запыленности Fig. 7. A schematic representation for determining the dustiness coefficient Из параметров металлической пленки, представленной на рис. 7, коэффициент запыленности k определится как: k=W1W2>0,5.(1)  Это связано с тем, что при слишком узких и тонких шинах металлизации возможны локальные перегревы структуры вследствие прохождения через них электрического тока. Также истончение шин приводит к их механическому разрушению (трещины, сколы, разрывы). Таким образом это может привести к ухудшению электрофизических параметров микросхемы или к выходу ее из строя. Для вычисления коэффициента запыленности исследуемого образца получено изображение шины металлизации (рис. 8) при ускоряющем напряжении зонда 10 кВ и увеличении 8230 раз.  Рис. 8. Шина металлизации для измерения коэффициента запыленностиFig. 8. The metallization bus for measuring dustiness coefficient Из рис. 8 по выражению (1) вычислен коэффициент запыленности: k=681∙10-9879∙10-9≈0,77. Чем ближе коэффициент запыленности к единице, тем качественнее выполнено напыление металла. Так, например, на рис. 9, полученном при ускоряющем напряжении 10 кВ и увеличении 19 500 раз, приведено изображение шины металла, для которой k≈0,93. Рис. 9. Шина металлизации для измерения коэффициента запыленностиFig. 9. The metallization bus for measuring dustiness coefficient Основываясь на данных микроскопических исследований с помощью SEM, можно выявить дефекты структур, обосновать параметры технологических процессов для качественного изготовления структур полупроводниковых приборов.  Заключение  В результате работы были получены изображения диэлектрических и проводящих полупроводниковых структур полевых транзисторов в составе интегральной микросхемы, определены линейные размеры элементов структур, что позволит более точно оценить параметры технологических процессов, обеспечивающих требуемый конструктивно-технологический вариант полупроводникового прибора при реверс-инжиниринге. Вычислен коэффициент запыленности металлических пленок, который является важным параметром для контроля качества и надежности металлизации.Использование сканирующей электронной микроскопии в рамках выполнения реверс-инжиниринга позволяет анализировать технологию изготовления полупроводниковых приборов, определять последовательность выполнения и особенности технологических операций, выявлять причины брака продукции с целью оптимизации технологических процессов изготовления.