LDR 01065naa#a2200205#i#450#
001     RU\\bibl\45382
005     20241228062015.6
011 ## _a2219-0767
100 ## _a20210726b2021####ek#y0rusy0150####ca
102 ## _aRU
200 1# _aСоздание поведенческой модели LDMOS транзистора на основе искусственной MLP нейросети и ее описание на языке Verilog-A
       _eЖурнальная статья
210 1# _aВоронеж
       _cВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова
       _d2021
215 ## _a6 с.
608 ## _aЖурнальная статья
       _2local
675 ## _aПрикладные науки. Общие вопросы. 60
       _z
700 #1 _aПобеда
       _gСергей Александрович
700 #1 _aЧерных
       _gМ. И.
700 #1 _aМакаренко
       _gФилипп Владимирович
700 #1 _aЗольников
       _gКонстантин Владимирович
856 4# _azh-szf.ru
       _u