AO "Nauchno-issledovatel'skiy institut elektronnoy tehniki"
Russian Federation
Considered equivalent circuit for modeling elements rabotosposbnosti VLSI realization of the circuit level. The mathematical relations for this process
CAD, ionization current, local radiation effects
Моделирование воздействия ТЗЧ на схемотехническом уровне заключается во внесении в эквивалентную схему замещения дополнительных генераторов тока, ёмкостей, паразитных биполярных транзисторов и резисторов, которые с некоторой частотой включаются в работу [1].
Для этого к стандартной модели транзистора КМОП (рис. 1) добавляется генератор тока ионизации (
) сопротивление подложки между контактом к ней и стоковым p-n переходом (R) и паразитный транзистор (VT).
Рис. 1. Модель транзистора КМОП с генератором тока ионизации
Генератор тока описывается стандартной функцией, имеющейся в пакете Сadence на основе экспоненциальной функции, так как она практически точно повторяет ток ионизации, теоретически описанный в предыдущей главе. Импульс тока экспоненциальной формы условно разбит на три участка, которые соответствуют току ионизации в состоянии «до», «в процессе воздействия ТЗЧ» и «после воздействия ТЗЧ». Тогда генератор тока задается списком параметров EXP (y1, y2, td, tcr, tr, tfr) и соответствует выражению [2]:
(1)
1. Zol´nikov, K. V. Modelirovanie raboty komponentov mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya radiatsii v SAPR [Tekst] / K. V. Zol´nikov, Yu. A. Chevychelov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 14-17.
2. Yan´kov, A. I. Rezul´taty issledovaniya sboeustoychevogo protsessora serii 1867 [Tekst] / A. I. Yan´kov, A. V. Achkasov, K. V. Zol´nikov, M. V. Konarev, N. A. Orlikovskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 4. - S. 72-74.
