Russian Federation
Russian Federation
A mathematical model of redistribution of temperature in the IS, depending on housing construction, when exposed to X-rays. The result of the comparative analysis of heat redistribution in the typical structure of the silicon IS and bipolar transistor produced on a computer.
modeling, radiation, radiation effects.
При воздействии ионизирующего излучения (ИИ) на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы (ИС) наблюдается их временная потеря работоспособности (ВПР). Наиболее исследованный механизм отказа при воздействии такого рода связан с резким увеличением концентрации неосновных носителей, приводящим к возрастанию ионизационного тока. Вместе с тем, при воздействии излучения с большой степенью поглощения (например, рентгеновского) возможен нагрев кристалла выше предельно-допустимой температуры по ТУ, что также может привести к отказу изделий. Прогнозирование ВПР с учетом последнего механизма отказа затруднено, поэтому наиболее приемлемым методом исследования представляется математическое моделирование. Целью настоящей статьи является разработка модели перераспределения тепла в структуре ИС и полупроводниковых приборов при воздействии рентгеновского ИИ.
1. Kartashov, E. M. Analiticheskie metody v teorii teploprovodnosti tverdogo tela [Tekst] / E. M. Kartashov. - M. : Vysshaya shkola, 1985. - 269 s.
2. Pekhovich, A. I. Raschety teplovogo rezhima tverdykh tel [Tekst] / A. I. Pekhovich. - L. : Energiya, 1976. - 352 s.
