Россия
Россия
Разработана математическая модель перераспределения температуры в ИС в зависимости от конструкции корпуса, при воздействии рентгеновского излучения. Приводятся результаты сравнительного анализа перераспределения температур в типовой структуре кремниевой ИС и биполярного транзистора, полученные на ЭВМ.
Моделирование, радиация, радиационные эффекты.
При воздействии ионизирующего излучения (ИИ) на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы (ИС) наблюдается их временная потеря работоспособности (ВПР). Наиболее исследованный механизм отказа при воздействии такого рода связан с резким увеличением концентрации неосновных носителей, приводящим к возрастанию ионизационного тока. Вместе с тем, при воздействии излучения с большой степенью поглощения (например, рентгеновского) возможен нагрев кристалла выше предельно-допустимой температуры по ТУ, что также может привести к отказу изделий. Прогнозирование ВПР с учетом последнего механизма отказа затруднено, поэтому наиболее приемлемым методом исследования представляется математическое моделирование. Целью настоящей статьи является разработка модели перераспределения тепла в структуре ИС и полупроводниковых приборов при воздействии рентгеновского ИИ.
1. Карташов, Э. М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердого тела [Текст] / Э. М. Карташов. - М. : Высшая школа, 1985. - 269 с.
2. Пехович, А. И. Расчеты теплового режима твердых тел [Текст] / А. И. Пехович. - Л. : Энергия, 1976. - 352 с.
