Russian Federation
Voronezh, Russian Federation
Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov
Russian Federation
Rassmatrivayutsya voprosy sozdaniya sovremennoy mikroelektroniki special'nogo naznacheniya. Opredeleny tendencii ee razvitiya i ih vliyaniya na radiacionnuyu stoykost'. Pokazany osnovnye fizicheskie yavleniya, kotorye stali dominirovat' sredi radiacionnyh effektov v poslednee vremya.
mikroshema, radiacionnoe vozdeystvie, mikroelektronika, SBIS.
Процесс создания современной микроэлектроники достаточно сложен и трудоёмок. Развитие микроэлектроники в последние 30 лет характеризуется следующими основными тенденциями. Число транзисторов на кристалле интегральной схемы (ИС) увеличивается в 4 раза каждые три года. Диаметр пластин удваивается каждые 15 лет. Площадь кристалла ИС увеличивается в 2,3 раза каждые 6 лет. Стоимость производства удваивается каждые три года. Проектные нормы уменьшаются в 2 раза за каждые 6 лет. Внедряются новые методы проектирования с использованием сложно функциональных блоков (СФ - блоков) [1-7].
Проектные нормы современных полупроводниковых технологий уменьшаются постоянно. Ещё в 1965 году один из основателей корпорации Intel Гордон Мур заметил, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые 24 месяца. В 70-х годах проектные нормы составляли 2-8 мкм, в 80-х была улучшена до 0,5-2 мкм. Новые процессоры делают по новой технологии соизмеримой с десятком нанометоров. Уже в настоящее время есть микросхемы, превысившие данный технологический уровень (в частности видеопроцессоры и flash-память фирмы Samsung - 0,009 мкм). Внедрение новых методов проектирования с использованием СФ – блоков привело к появлению нового специализированного класса интегральных схем (ИС) “система на кристалле ” (СнК), где на одном кристалле реализовано несколько СФ-блоков, например, процессор цифровой обработки сигналов, память различных типов, интерфейсы, контроллер USB, Ethernet, UART, таймер и т д.
1. Avtomatizaciya upravleniya i proektirovaniya v elektronnoy promyshlennosti [Tekst] : monografiya / Yu.K. Fortinskiy, V.E. Mezhov, V.K. Zol'nikov, P.P. Kuc'ko. - Voronezh: VGU, 2008. - 275 s.
2. Zol'nikov, V.K. Proektirovanie mikroshem s uchetom radiacionnogo vozdeystviya [Tekst] / V.K. Zol'nikov, V.P. Kryukov, A.I. Yan'kov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2009. - № 2. - S. 28-30.
3. Anciferova, V.I. Analiz podgotovki specialistov po radioelektronike dlya nauchno-proizvodstvennyh i kommercheskih struktur v sovremennyh usloviyah [Tekst] / V.I. Anciferova, V.K. Zol'nikov // Modelirovanie sistem i processov. - 2009. - № 3-4. - S. 5-12.
4. Mashevich, P.R. Instrumental'nye sredstva avtomatizacii proektirovaniya izdeliy mikroelektroniki dizayn-centra [Tekst] / P.R. Mashevich, V.K. Zol'nikov, K.I. Tapero. - Voronezh : VGU, 2006. - 179 s.
5. Algoritmy konstruktorskogo proektirovaniya bazovyh elementov radiacionno-stoykih BIS [Tekst] / V.E. Mezhov, P.R. Mashevich, Yu.K. Fortinskiy, V.K. Zol'nikov // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2005. - № 1-2. - S. 125-126.
6. Zol'nikov, V.K. Modelirovanie sbora zaryada pri vozdeystvii tyazhelyh zaryazhennyh chastic v KMOP elementah mikroshem [Tekst] / V.K. Zol'nikov, I.P. Potatov, K.I. Tapero // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem (MES). - 2010. - № 1. - S. 275-278.
7. Zol'nikov, V.K. Matematicheskoe obespechenie ucheta impul'snogo izlucheniya v SAPR skvoznogo proektirovaniya SBIS [Tekst] / V.K. Zol'nikov // Sistemy upravleniya i informacionnye tehnologii. - 2009. - T. 35. - № 1.2. - S. 242-244.
