В статье рассматривается процесс воздействия космического ионизационного излучения на изделия электронной компонентной базы, описывается структура алгоритма расчета стойкости КМОП СБИС при воздействии факторов космического пространства.
Автоматизация проектирования, радиация, микросхемы, стойкость.
К разрабатываемым изделиям электронной компонентной базы предъявляются требования длительного функционирования в космическом пространстве в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов в условиях длительного воздействия статического ионизационного излучения малой мощности [1, 2]. При проведении испытаний на стойкость изделий электронной компонентной базы к излучению разной интенсивности был обнаружен эффект уменьшения стойкости испытуемых изделий при уменьшении мощности воздействующего излучения. При мощности излучения 100 р/с изделие можно было аттестовать на стойкость 105. Так максимальная деградация параметров полупроводниковых приборов наблюдалась при мощности излучения 1 р/с. При этом значение стойкости составляло 104. При дальнейшем уменьшении мощности излучения, стойкость несколько повышается (рис. 1).
На рис. 2 представлена структура алгоритма расчета стойкости КМОП СБИС при воздействии факторов космического пространства.
1. Зольникова, А. Н. Проектирование радиационно стойкой элементной базы нового поколения [Текст] / А. Н. Зольникова, В. Н. Ачкасов// Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве : сборник трудов всероссийской конференции. - Воронеж : ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет». - 2008. - С. 30-31.
2. Зольников, В. К. Проектирование элементной базы нового поколения [Текст] / В. К. Зольников, И. П. Потапов // Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве : сборник трудов всероссийской конференции. - Воронеж : ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет». - 2008. - С. 59-60.
