Россия
Россия
АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
В статье рассматривается расчет эффектов одиночных событий в образцах ЭРИ 5534ТХ014 в различных режимах. Представлены данные возникшие в процессе облучения одиночных радиационных эффектов.
Облучение образцов ЭРИ, тиристорный эффект, события сбоев переключения, события одиночных функциональных сбоев.
Объектом испытаний являлись образцы микросхем АЦП с элементами оперативной памяти, функциональное назначение – СБИС типа «система на кристалле» 2...4-канального приемного тракта со встроенным 18-разрядным АЦП и программируемым АЛУ ЦОС. К факторам статического излучения для этих микросхем уже были проведены [1-2].
Целью испытаний являлось определение основных информативных зависимостей параметров-критериев годности от значений характеристик спецфакторов, исследование зависимости уровней сбоеустойчивости изделий к воздействию спецфакторов от режимов (электрических, функциональных) и условий работы при воздействии ионов с ЛПЭ.
1. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии [Текст] / В. К. Зольников, В. П. Крюков, В. Н. Ачкасов, В. А.Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т.8, № 3. - С. 24-26.
2. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8, № 3. - С. 27 - 31.
