АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
Воронежская область, Россия
Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова
Россия
Россия
В статье описаны информационные модели полупроводниковых структур, используемые для оценки адекватности принятия решений. Рассмотрены основные электрофизические параметры (концентрация основных носителей заряда, подвижность носителей заряда, удельное сопротивление, время жизни носителей заряда) полупроводниковых структур и их изменение при радиационных эффектах.
Радиация, модель, электрофизические параметры, полупроводниковые структуры, адекватность принятия решений
1. Разработка математических моделей расчета радиационной стойкости параметров типовых элементов и определение адекватности схемотехнических и конструктивно-технологических решений / В. К. Зольников, В. П. Крюков, В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 1-2. - С. 24-26.
2. Алгоритмы конструкторского проектирования базовых элементов радиационно-стойких БИС / В. Е. Межов, П. Р. Машевич, Ю. К. Фортинский, В. К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2005. - № 1-2. - С. 125-126.
3. Зольников, В. К. Проектирование микросхем с учетом радиационного воздействия / В. К. Зольников, В. П. Крюков, А. И. Яньков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2009. - № 2. - С. 28-30.
4. Потапов, И. П. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы / И. П. Потапов, А. В. Ачкасов., В. К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2006. - № 1-2. - С. 147-148.
5. Зольников, В. К. Исследование и разработка методов моделирования характеристик ИМС в условиях воздействия радиации : автореф.. … докт. техн. наук: 05.13.12 / В. К. Зольников. - Воронеж, 1998. - 36 с.
6. Моделирование радиационных эффектов на физико-технологическом уровне в САПР ИЭТ / А. А. Стоянов, В. А. Скляр, К. В. Зольников, А. И. Озеров, К. И. Таперо // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 92-97.
7. Современные условия эксплуатации микросхем космического назначения / В. К. Зольников, В. П. Крюков, А. Ю. Кулай, М. В. Конарев, И. И. Струков, М. В. Солодилов, С. А. Евдокимова, В. С. Волков, В. П. Белокуров // Информационные технологии в управлении и моделировании мехатронных систем : материалы I Международной научно-практической конференции. - Тамбов, 2017. - С. 119-126.
8. Зольников, В. К. Проектирование современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В. К. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 27-30.
9. Лавлинский, В. В. Научные основы синтеза виртуальной реальности для проектируемой электронной компонентной базы специального назначения при воздействии тяжелых ядерных частиц / В. В. Лавлинский, В. К. Зольников, К. И. Таперо. - Воронеж, 2016. - 256 с.
10. Achkasov, V. N. Controlling means of development electronic component basis / V. N. Achkasov, V. K. Zolnikov, T. P. Belyaeva. - Federal state unitary enterprise «Scientific research institute of electronic engineering», Federal state budget educational establishment "Voronezh state academy of forestry engineering". - Lorman, MS, USA, 2012. - 130 p.
