Россия
Россия
Россия
УДК 621.3 Электротехника
В работе рассматриваются вопросы обеспечения стойкости энергонезависимой памяти при радиационном воздействии. Были проведены экспериментальные исследования стойкости мемристоров. Механизм переключения на мемристорах ТаОх схож, но не идентичен с мемристором TiO2. Рентгеновские данные показали, что состояние «выкл» наиболее подвержено радиационному повреждению, поэтому до γ-облучения все устройства были сброшены в состояние «выкл». После завершения последовательности облучения был выполнен цикл установки/сброса. Для примера построены графики чтения I-V кривых, показывающие небольшое изменение наклона. Изменения установки/сброс находится в диапазоне наблюдаемых электрических колебаний в устройстве между циклами, поэтому его нельзя однозначно отнести к γ-облучению. При облучении в статическом режиме с ЛПЭ 70 МэВ∙см2/мг одиночные эффекты не наблюдались, а в динамическом режиме были.
Электронная компонентная база, энергонезависимая память OxRAM, радиационное воздействие, космическое пространство, ионизационное излучение.
1. Improving TID radiation robustness of a CMOS OxRAM-Based neuron circuit by using enclosed layout transistors / P.I. Vaz, P. Girard, A. Virazel, H. Aziza // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. - 2021. - Vol. 29(6). - C. 9394780. - DOI:https://doi.org/10.1109/TVLSI.2021.3067446.
2. Формирование ЭКБ для космического применения / П.П. Куцько, П.Л. Пармон, В.К. Зольников, С.А. Евдокимова // Моделирование информационных систем : сборник материалов Международной научно-практической конференции. - Воронеж, 2021. - С. 469-474. - DOI:https://doi.org/10.34220/MIS 469-474.
3. A CMOS OxRAM-based neuron circuit hardened with enclosed layout transistors for aerospace applications / P.I. Vaz, P. Girard, A. Virazel, H. Aziza // Proceedings - 2020 26th IEEE International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design, IOLTS 2020. - 2020. - C. 9159709. - DOI:https://doi.org/10.1109/IOLTS50870.2020.9159709.
4. Temperature dependence of single-event transient pulse widths for 7-nm bulk FinFET technology / J. Cao, L. Xu, S.-J. Wen [et al.] // IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. - 2020. - C. 91292542020. - DOI:https://doi.org/10.1109/IRPS45951.2020.9129254.
5. Волощенко, П.Ю. Анализ передачи амплитуды напряжения сигнала в кросс-бар структуре энергонезависимой памяти на основе мемристоров / П.Ю. Волощенко, Ю.П. Волощенко, В.А. Смирнов // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2019. - № 6 (208). - С. 112-121. -DOI:https://doi.org/10.23683/2311-3103-2019-6-112-121.
6. Calibration and electric characterization of p-mnos RADFETS at different dose rates and temperatures / P.A. Zimin, E.V. Mrozovskaya, P.A. Chubunov [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. - 2019. - Т. 940. - С. 307-312. - DOI:https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.05.099.
7. Ле, Б.Ч. Технология построения регистратора параметров цифровой системы управления на основе сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти / Б.Ч. Ле, Ю.А. Холопов // ТРУДЫ МФТИ. Труды Московского физико-технического института (национального исследовательского университета). - 2017. - Т. 9, № 2 (34). - С. 136-142.
8. Разработка радиационно стойкой энергонезависимой ячейки памяти SONOS на базе технологии 180 нм / Д.В. Червонный, Р.А. Арилин, Н.Н. Матвеев [и др.] // Наноиндустрия. - 2020. - Т. 13, № S5-1 (102). - С. 228-229. - DOI:https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.228.229.
9. Исследование особенностей интеграции элементов энергонезависимой памяти fram c кмоп технологией / О.М. Орлов, Д.Д. Воронов, Р.А. Измайлов, Г.Я. Красников // Микроэлектроника. - 2017. - Т. 46, № 5. - С. 380-385. - DOI:https://doi.org/10.7868/S0544126917050088.
10. Близно, М.В. Исследование закономерностей развития энергонезависимой памяти / М.В. Близно // Проблемы искусственного интеллекта. - 2019. - № 2 (13). - С. 39-48.
11. Фортинский, Ю.К. Создание подсистемы верификации сложных цифровых микросхем с учетом радиационного воздействия / Ю.К. Фортинский, В.К. Зольников, М.В. Конарев. - Воронеж, 2011. - 208 с.
12. Сегнетоэлектрическая память: современное производство и исследования / Д.А. Абдуллаев, Р.А. Милованов, Р.Л. Волков [и др.] // Российский технологический журнал. - 2020. - Т. 8, № 5 (37). - С. 44-67. -DOI:https://doi.org/10.32362/2500-316X-2020-8-5-44-67.
13. ELDRS in P-MOS and P-MNOS based RAD-FETS with thick gate insulators: experiment and simulation / P.A. Zimin, V.S. Anashin, P.A. Chubunov [et al.] / 2018 18th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2018. - 2020. - С. 9328654. - DOI:https://doi.org/10.1109/RADECS45761.2018.9328654.
14. Inter-device radiation-induced leakages in the bulk 180-nm CMOS technology / A.B. Boruzdina, Y.M. Gerasimov, N.G. Grigor’ev [et al.] // Russian Microelectronics. - 2019. - Vol. 48(4). - Pp. 268-272. - DOI:https://doi.org/10.1134/S1063739719030028.
15. Total ionizing dose effects on CMOS devices in a 110 nm technology / E. Riceputi, L. Gaioni, M. Manghisoni [et al.] // PRIME 2017 - 13th Conference on PhD Research in Microelectronics and Electronics, Proceedings. - 2017. - C. 797415213. - DOI:https://doi.org/10.1109/PRIME.2017.7974152.
16. Новикова, Т.П. Управление процессом испытаний электронной компонентной базы и оценка средств его обеспечения / Т.П. Новикова, В.К. Зольников // Научно-технический вестник Поволжья. - 2018. - № 11. - С. 235-238.
17. Результаты испытаний аналого-цифрового преобразователя и процессора на стойкость к воздействию ТЗЧ, ВЭП и нейтронов / Р.Р. Хайдаров, Т.С. Наполова, С.В. Колпачков [и др.] // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2021» : сборник тезисов докладов 24-й Всероссийской научно-технической конференции. - Лыткарино, 2021. - С. 93-94.
18. Мрозовская, Е.В. Проявление эффекта низкой интенсивности в МНОП-структуре / Е.В. Мрозовская, П.А. Чубунов, Г.И. Зебрев // Наноиндустрия. - 2021. - Т. 14, № S7 (107). - С. 924-925. - DOI:https://doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.924.925.
19. Основные конструктивно-технологические особенности MRAM / Д.В. Васильев, В.В. Амеличев, Д.В. Костюк [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2020. -Т. 22, № 7. - С. 353-361. - DOI:https://doi.org/10.17587/nmst.22.353-361.
20. Технология мемристоров / А.Н. Палагушкин, Ф.А. Юдкин, С.А. Прокопенко, А.П. Сергеев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. - 2018. - № 2 (170). - С. 20-26.
