Россия
Россия
Россия
В статье рассматривается оценка микросхем по стойкости к воздействию специальных факторов на примере СБИС аналого-цифрового преобразователя.
Автоматизация проектирования, микросхемы, стойкость.
Оценка соответствия микросхем требованиям по стойкости к воздействию специальных факторов проводили по методике, в которой контролировались параметры, указанные в табл. 1, на основе алгоритмов, изложенных в [1-4].
Испытания микросхем на стойкость проводили в нормальных условиях и при верхнем значении температуры корпуса микросхемы. Контроль температуры на корпусе микросхемы проводили термопарой хромель-капель с использованием микропроцессорного терморегулятора ТРМ101 фирмы «ОВЕН», Россия.
В процессе испытаний определяли уровень бессбойной работы, время потери работоспособности во время и непосредственно после воздействия фактора, уровень тиристорного эффекта (при его наличии), а также отсутствие катастрофических отказов.
1. Зольников, К. В. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8. № 3. - С. 33-35.
2. Зольников, К. В. Алгоритмическая основа моделирования отказов на глубоко-субмикронных технологиях [Текст] / К. В. Зольников, А. И. Яньков, А. В. Ачкасов, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8. № 1. - С. 15-17
3. Зольников, К. В. Современное проектирование электронной компонентной базы [Текст] / К. В. Зольников, В. В. Лавлинский // Экономика. Инновации. Управление качеством. - 2015. - № 1 (10). - С. 40-41.
4. Зольников, К. В. Метод оценки тока ионизации для учета импульсного излучения в САПР [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова // Экономика. Инновации. Управление качеством. - 2015. - № 1 (10). - С. 42-45.