В статье рассматривается оценка стойкости микросхем к воздействию тяжелых заряженных частиц, описаны условия проведения испытаний, материально-техническое обеспечение испытаний.
Автоматизация проектирования, микросхемы, стойкость, тяжелые заряженные частицы.
Оценка соответствия микросхем требованиям по стойкости к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) проводилась в соответствии с программой методикой испытаний и по алгоритмам, представленным в [1, 2].
- получение экспериментальных данных для оценки соответствия порогового значения ЛПЭ для необратимых отказов в микросхемах заданным требованиям;
- определение зависимости уровней сбоеустойчивости изделий от ЛПЭ ионов.
Параметрами-критериями работоспособности и сбоеустойчивости являются параметры, указанные в табл. 1.
1. Зольников, В. К. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии [Текст] / В. К. Зольников, В. П.Крюков, В. Н. Ачкасов, В. А.Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8. № 3. - С. 24-26.
2. Зольников, К. В. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8. № 3. - С. 33-35.
