Россия
Рассмотрен метод трехмерного моделирования элементов интегральных схем в условиях воздействия ионизирующего излучения. Предложен алгоритм моделирования переходного ионизационного тока p-n-перехода позволяющий учесть эффект ограничения объема сбора носителей заряда (НЗ).
интегральные схемы, ионизирующее излучение, ионизационный ток.
УДК 621.384.6: 537.535
Трехмерное моделирование элементов интегральных схем в условиях радиационного воздействия
Three-dimensional modeling of elements of integral schemes in conditions radiation influences
Панюшкин Н.Н.
Матвеев Н.Н.
ФБГОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия»,
г. Воронеж, Россия
DOI: 10.12737/6762
Аннотация. Рассмотрен метод трехмерного моделирования элементов интегральных схем в условиях воздействия ионизирующего излучения. Предложен алгоритм моделирования переходного ионизационного тока p-n-перехода позволяющий учесть эффект ограничения объема сбора носителей заряда (НЗ).
Summary:Considered method of three-dimensional modeling of elements of integral schemes in conditions of influence ionizing radiations. Offered algorithm of modeling connecting ionizing current p-n-junction allowing take into account effect of restriction of volume a collection of carriers a charge.
Ключевые слова: интегральные схемы, ионизирующее излучение, ионизационный ток.
Keywords: integral circuits, ionizing radiation, ionizing current.
К моделям элементов ИС предъявляются два противоречивых требования - они должны быть точными и экономичными. Компромисс может быть достигнут путем введения физических оправданных упрощений математических моделей. Одним из наиболее эффективных компромиссных подходов такого рода является метод региональных приближений [1]. Метод предусматривает разбиение транзисторной структуры на отдельные области, совпадающие с областью пространственного заряда p-n-переходов и квазинейтральными областями. При этом появляется возможность произвести расчет полупроводниковой структуры по частям. В качестве критерия правомерности разбиения структуры на отдельные области (секции) будем использовать условие постоянства граничных условий.
|
|
Для МОП-транзистора, изготовленного по КНИ технологии (рис.1), переходные ионизационные токи каждого из р-n-переходов «исток-карман» и «сток-карман» состоят из четырех составляющих.
1. Панюшкин Н.Н. Моделирование переходных ионизационных токов элементов интегральных схем на основе метода региональных приближений / Н.Н. Панюшкин // Системы управления и информационные технологии. - 2009.- Вып. 3(37). - С.84-88.
2. Панюшкин Н.Н. Микроуравневая модель ионизационного тока р-n-перехода / Н.Н. Панюшкин // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Технические науки. - 2011. - №4. - С. 38-39.
