АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
ГРНТИ 29.01 Общие вопросы физики
Статья рассматривает вопросы повышения стойкости электронной компонентной базы (ЭКБ) к дозовым эффектам за счет усовершенствования технологического процесса. Приведены графики функций передаточных характеристик МОП-транзисторов и КМОП-инвертора до и после радиационного воздействия. Показано влияние заряда в оксиде и на поверхности, образующегося под действием излучения.
Электронная компонентная база (ЭКБ), радиационное воздействие, дозовый эффект, микросхемы, схемотехника, интегральные схемы (ИС), ионизирующее излучение
1. Состояние разработок элементной базы для систем связи и управления / В.К. Зольников, А.Ю. Кулай, В.П. Крюков, С.А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т. 9, № 4. -С. 11-13.
2. Особенности проектирования базовых элементов микросхем космического назначения / В.К. Зольников, Т.В. Скворцова, И.И. Струков, А.А. Илунина, Е.А. Маклакова // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 3. - С. 66-70.
3. Оценка воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты по результатам испытаний ограниченных выборок / М.М. Венедиктов, Е.С. Оболенская, В.К. Киселев, С.В. Оболенский // Журнал радиоэлектроники. - 2017. - № 1. - С. 7.
4. Анализ качества проектирования блоков ОЗУ в составе микропроцессорных систем с обеспечением минимальной сбоеустойчивости / В.К. Зольников, Ю.А. Чевычелов, В.В. Лавлинский, А.В. Ачкасов, А.В. Толкачев, О.В. Оксюта // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 47-55.
5. Анализ проектирования блоков RISC-процессора с учетом сбоеустойчивости / В.К. Зольников, А.С. Ягодкин, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 56-65.
6. See test results of electronic components performed on ROSCOSMOS test facilities / V.S. Anashin, A.E. Koziukov, A.A. Kazyakin, A.S. Kuznetsov, L.R. Bakirov, V.S. Korolev, K.A. Artemyev, K.Z. Faradian // IEEE Radiation Effects Data Workshop. - 2014. - P. 7004588.
7. Зольников, В.К. Проектирование современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В.К. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2012. -№ 1. - С. 27-30.
8. Adams, J.R. A radiation-hardened field oxide / J.R. Adams, W.R. Dawes, T.S. Sanders // IEEE Trans. Nuclear Sci. - 1977. - Vol. NS-24, №. 6. - Pp. 2099-2101.
9. Fleetwood, D.M. A reevaluation of worst-case post irradiation response for hardened MOS transistors / D.M. Fleetwood, P.V. Dressendorfer, D.С Turpin // IEEE Trans. Nuclear Sci. - 1967. - Vol. NS-34, № 6. - Pp. 1178-1183.
10. Winokur, P.S. Total dose radiation and annealing studies: Implications for hardness assurance testing / P.S. Winokur [et al.] // IEEE Trans. Nuclear Sci. - 1986. - Vol. NS-33, № 6. - Pp. 1343-1351.
11. Schwank, J.R. Physical mechanisms contributing to device «rebound» / J.R. Schwank [et al.] // IEEE Trans. Nuclear Sci. - 1984. - Vol. NS-31, № 6. - Pp. 1434-1438.
12. Johnston, A.H. Super recovery of total dose damage in MOS devices / A.H. Johnston // IEEE Trans. Nuclear Sci. - 1984. - Vol. NS-31, № 6. - Pp. 1427-1433.
13. Hatano, H. CMOS logic circuit optimum design for radiation tolerance / H. Hatano, M. Shibuya, // Electron. Lett. - 1963. - Vol. 19, № 23. - Pp. 977-979.
