АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
Россия
Филиал Ростовского государственного университета путей сообщения в г. Воронеже
Россия
УДК 60 Прикладные науки. Общие вопросы
Суть обсуждаемого в статье метода заключается в проведении испытаний изделия электронной компонентной базы (ЭКБ), в котором используются методы парирования сбоев, при отключенной системе парирования сбоев по типовым методикам испытаний. Данный метод является действенным при невозможности применения прямого метода вследствие того, что поток ТЗЧ достигает такой величины, что схема коррекции не сможет обрабатывать возникающие при этом сбои.
Микросхема, работоспособность, интервал тестирования, множественные сбои, параметры, моделирование, чувствительность ячеек, эффективность, методы испытаний
1. Повышение достоверности расчетов дозовых нагрузок на электронные компоненты в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов / Н.Н. Булгаков, В.Ф. Зинченко, Ю.А. Миршавка, С.А. Яхутин // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2018. - № 3. - С. 39-45.
2. Ловшенко, И.Ю. Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры N-МОП-транзистора / И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, В.Т. Шандарович // Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники. - 2020. - Т. 18, № 7. - С. 55-62.
3. Современные условия эксплуатации микросхем космического назначения / В.К. Зольников [и др.] // Информационные технологии в управлении и моделировании мехатронных систем. материалы 1-й научно-практической международной конференции. - Тамбов, 2017. - С. 119-126.
4. Алгоритмическая основа моделирования и обеспечения защиты типовых КМОП элементов в процессе проектирования / В.К Зольников, В.А. Смерек, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 14-16.
5. Разработка проектной среды и оценка технологичности производства микросхемы с учетом стойкости к специальным факторам на примере СБИС 1867ВЦ6Ф / В.А. Скляр, В.А. Смерек, К.В. Зольников, Д.Н. Чернов, А.С. Ягодкин // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 77-82.
6. Конструкция и технология микросхем космического назначения / В.К. Зольников [и др.] // Информационно-сенсорные системы в теплофизических исследованиях: сборник научных трудов. - Тамбов, 2018. - С. 229-232.
7. Challenges and approaches to radiation hardness control of electronic components to in-space high-energy particles exposure / V. Anashin, P. Chubunov, A. Koziukov, A. Konyukhov, G. Protopopov // Proceedings - 2018 20th International Symposium on High-Current Electronics, ISHCE 2018. - 2018. - Pp. 31-34.
8. Mosfets SEB SEGR qualification results with SOA estimation / S.A. Iakovlev, V.S. Anashin, A.E. Koziukov, K.B.Bu-Khasan, T.A. Maksimenko, P.A. Chubunov, A.M. Chlenov // 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2017. 17, Space to Ground and Below. - 2019. - Pp. 8696132.
9. Зольников, В.К. Методика проектирования современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В.К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2012. - № 3. - С. 5-8.
10. Зольников, К. В. Современное проектирование электронной компонентной базы / К. В. Зольников, В.В. Лавлинский // Экономика. Инновации. Управление качеством. - 2015. - № 1 (10). - С. 40-41.
11. Зольников, К.В. Проектирование специальных СБИС и управление проектами их создания / К.В. Зольников, В.А. Смерек, Т.П. Беляева // Интеллектуальные технологии будущего. Естественный и искусственный интеллект: сборник материалов Всероссийской молодежной конференции. - Воронеж: Научная книга, 2011. - С. 218-220.
12. Лагаев, Д.А. Конструктивно-технологические особенности КМОП КНИ транзисторов с повышенной стойкостью к накопленной дозе ионизирующего излучения / Д.А. Лагаев, Н.А. Шелепин // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. - 2020. - № 1 (177). - С. 5-13.
